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Implementación de un simulador de rendimiento, consumo y coste para Centros de Datos integrados en un Smart Grid

Abstract

Actualmente uno de los mayores costes de un Centro de Proceso de Datos es el consumo eléctrico, especialmente el generado para el funcionamiento de los sistemas de refrigeración. Los simuladores constituyen una herramienta imprescindible para optimizar su funcionamiento de la forma más eficiente posible. A su vez, los simuladores deben ejecutarse en tiempos razonables, además de permitir su ejecución con distintas configuraciones de los sistemas cuyo comportamiento se quiere simular. Este proyecto consiste en la elaboración y desarrollo de un modelo de consumo de un Data Center utilizando las ecuaciones descritas en los artículos "Dynamic Workload and Cooling Management in High-Efficiency Data Centers" y "Leakage-Aware Cooling Management for Improving Server Energy Efficiency", reseñados en la bibliografía [1] y [2], empleadas anteriormente en el simulador DC-Sim, generando una infraestructura base para futuros desarrollos. El nuevo modelo, basado en el formalismo DEVS, es fácilmente escalable y permite la ampliación con nuevas funcionalidades, además de permitir la implementación de cualquier topología y tamaño de Data Center, con diferentes cargas de trabajo.

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Implementación de un simulador de rendimiento, consumo y coste para Centros de Datos integrados en un Smart Grid

Author: Baraibar López, Fernando; Montero Cobo de Guzmán, Roberto
Year: 2017
Source: https://docta.ucm.es/bitstreams/916d4200-faab-45f0-bff0-29fb4a0ba9f0/download
Uni e sidad Complu ense de Mad id
Facul ad de In o má ica
Implemen ación de un simulado de endimien o,
consumo y cos e pa a Cen os de Da os in eg ados en un
Sma G id
Alumnos Fe nando Ba aiba López
Robe o Mon e o Cobo de Guzmán
Di ec o es de p oyec o José Luis Ayala Rod igo
Ma ina Zapa e Sancho
T abajo de Fin de G ado
Ingenie ía de Compu ado es
Junio de 2017
2
Índice gene al
Palab as cla e 5
Resumen 7
1. In oducción 9
1.1. An eceden es .................................... 10
1.2. Obje i o....................................... 11
1.3. Plande abajo ................................... 11
2. Visión gene al 15
2.1. El o malismoDEVS................................ 15
2.1.1. ModeloA ómico.............................. 15
2.1.2. ModeloAcoplado.............................. 17
2.1.3. Simulación de modelos DEVS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
2.2. Cons ucción de modelos de da a cen e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.2.1. In oducción ................................ 20
2.2.2. Componen es de un da a cen e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
2.2.3. DC-Simula o ................................ 22
2.2.4. Implemen ación de los modelos de consumo en DC-Sim . . . . . . . . . 23
2.2.5. DC-Simula o en xDEVS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
3. Es uc u a y compo amien o 27
3.1. Es uc u a...................................... 27
3.1.1. SFIDE: modelo acoplado aíz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
3.1.2. Room.................................... 29
3.1.3. Cooling................................... 36
3.2. Compo amien o .................................. 37
3.2.1. JobsGene a o ............................... 38
3.2.2. Alloca o .................................. 38
3.2.3. IRC..................................... 38
3.2.4. Rack .................................... 39
3.2.5. Se e .................................... 39
3.2.6. Wea he ................................... 40
3
4ÍNDICE GENERAL
3.2.7. Chille ................................... 40
3.2.8. Pump.................................... 40
3.2.9. Ene gyCalcula o ............................. 40
4. Resul ados, conclusiones y u u os desa ollos 43
4.1. Escena ios...................................... 43
4.2. Resul ados...................................... 43
4.2.1. Resul ados escena io pequeño . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
4.2.2. Resul ados escena io mediano . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47
4.2.3. Análisis del iempo de ejecución . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
4.3. O asejecuciones.................................. 51
4.4. Conclusiones .................................... 51
4.5. Fu u osdesa ollos ................................. 52
Bibliog a ía 55
Ag adecimien os 57
Au o ización de di usión 59
Palab as cla e
Palab as cla e en Español
Modelado y simulación
Sis emas de e en os disc e os
Fo malismo DEVS
Sis emas de en ilación manual mecánica
Cen o de P oceso de Da os
E iciencia ene gé ica de cen os de p oceso de da os
Keywo ds in English
Modeling and simula ion
Disc e e e en s sys em
DEVS o malism
F eecooling
Da a Cen e
Ene gy E iciency in Da a Cen e s
5

6Palab as cla e
Resumen
Resumen en Español
Ac ualmen e uno de los mayo es cos es de un Cen o de P oceso de Da os es el consumo
eléc ico, especialmen e el gene ado pa a el uncionamien o de los sis emas de e ige ación.
Los simulado es cons i uyen una he amien a imp escindible pa a op imiza su uncionamien-
o de la o ma más e icien e posible.
A su ez, los simulado es deben ejecu a se en iempos azonables, además de pe mi i su
ejecución con dis in as con igu aciones de los sis emas cuyo compo amien o se quie e simula .
Es e p oyec o consis e en la elabo ación y desa ollo de un modelo de consumo de un Da a
Cen e u ilizando las ecuaciones desc i as en los a ículos "Dynamic Wo kload and Cooling Mana-
gemen in High-E iciency Da a Cen e s" y"Leakage-Awa e Cooling Managemen o Imp o ing
Se e Ene gy E iciency", eseñados en la bibliog a ía [1] y [2], empleadas an e io men e en el
simulado DC-Sim, gene ando una in aes uc u a base pa a u u os desa ollos.
El nue o modelo, basado en el o malismo DEVS, es ácilmen e escalable y pe mi e la amplia-
ción con nue as uncionalidades, además de pe mi i la implemen ación de cualquie opología y
amaño de Da a Cen e , con di e en es ca gas de abajo.
Summa y in English
Cu en ly, one o he highes cos s o a Da a P ocessing Cen e comes om elec ical consum-
p ion, especially he one p oduced o allow p ope unc ioning o he cooling sys ems.
Simula o s a e an essen ial ool o op imize he pe o mance o he cooling sys ems in he mos
e icien way possible.
Thus, simula o s mus be execu ed wi hin easonable imes, and hei execu ion mus be com-
pa ible wi h di e en se ings o hose sys ems whose beha io is o be simula ed.
The p esen p ojec deals wi h he c ea ion and de elopmen o a consump ion model o a
Da a Cen e using he equa ions desc ibed in he ollowing a icles: "Dynamic Wo kload and Co-
oling Managemen in High-E iciency Da a Cen e s.and "Leakage-Awa e Cooling Managemen
o Imp o ing Se e Ene gy E iciency ", e e enced in he bibliog aphy, [1] and [2]. These equa-
ions we e p e iously used in he DC-Sim simula o , gene a ing a basic in as uc u e o u u e
de elopmen s.
The new model, based on he DEVS o malism, is easily scalable and allows expansion wi h
new unc ionali ies, besides allowing implemen a ion o any opology and size o a Da a Cen e ,
7
8Resumen
wi h di e en wo kloads.
Capí ulo 1
In oducción
La ápida e olución de la ecnología ha pe mi ido un desa ollo de o ma exponencial de los
sis emas de in o mación. La posibilidad de ins ala a ios equipos más po en es en el espacio que
hace unos años ocupaba uno sólo ha gene ado un conside able inc emen o en la po encia necesa ia
pa a el uncionamien o del conjun o.
El aumen o de la densidad de equipos en las ins alaciones hace que se gene e más calo y de
o ma más concen ada, po lo que ha sido necesa io desa olla sis emas de e ige ación más
so is icados y e icien es, con el in de e i a sob eca gas é micas. Es po odo es o que los Da a
Cen e cada ez consumen más ene gía.
Mien as que el cos e de los equipos se ha educido, el de la elec icidad y los sis emas de
e ige ación se ha inc emen ado conside ablemen e, dando luga al ex emo de que es ácil que
llegue a esul a más ca o man ene en uncionamien o un equipo que el p opio equipo.
Es as ci cuns ancias hacen imp escindible un p o undo es udio a la ho a de a on a la ins a-
lación de un Da a Cen e . El cos e ene gé ico puede a ia conside ablemen e dependiendo, po
ejemplo, de su localización geog á ica, en cuan o que la empe a u a ex e io in lui á en el gas o
asociado al p oceso de e ige ación. También su opología, las di e en es ca gas de abajo o los
dis in os ipos de se ido es ins alados a ec a á di ec amen e sob e la ac u a eléc ica.
Pa a pode oma decisiones sob e la ubicación y ca ac e ís icas de un Da a Cen e esul a
de ex ema u ilidad la u ilización de sis emas que simulen su compo amien o con las di e en es
condiciones que puedan a ec a a su consumo y e iciencia.
Las simulaciones pe mi en abs ae la complejidad de un sis ema pa a gene a una he amien a
que pe mi a comp ende con mayo acilidad la e olución de és e en el iempo.
In oduc ion
The as e olu ion o echnology has allowed an exponen ial de elopmen o in o ma ion sys-
ems. The possibili y o ins all se e al and mo e powe ul machines in he same space which, a ew
yea s ago, was aken up by jus one equipmen , has caused a conside able inc ease in he powe
needed o ope a e he whole se .
Inc easing he equipmen ’s densi y in he acili ies causes mo e hea , and enhances i s con-
cen a ion. The e o e, i has been necessa y o de elop mo e sophis ica ed and e icien cooling
9
16 CAPÍTULO 2. VISIÓN GENERAL
Una unción de ansición in e na, que de e mina el es ado al que debe pasa el sis ema al
inaliza el iempo de e minado po la unción de a ance de iempo.
Una unción de ansición ex e na, que de e mina el cambio a o o es ado cuando se ecibe
una en ada. Es unción del es ado ac ual, del pue o po el que se ecibe la en ada, el alo
ecibido y el iempo anscu ido en el es ado ac ual.
Una unción de ansición con luyen e, que pe mi e especi ica cuál es el nue o es ado cuan-
do se p oduce la con luencia de una ansición in e na y una ex e na.
Una unción de salida, que gene a una salida inmedia amen e an es de p oduci se una an-
sición in e na.
Un modelo DEVS a ómico se especi ica como:
M=hXM, S, YM, δin , δex , δcon, λ, ai(2.1)
donde:
XM: Conjun o de e en os de en ada, o mados po pa es pue o- alo :
XM={(p, )|p∈InP o s, ∈Xp}(2.2)
S: Conjun o de es ados secuenciales.
YM: Conjun o de e en os de salida, o mado po pa es pue o- alo :
YM={(p, )|p∈Ou P o s, ∈Yp}(2.3)
δin :S→S, unción de ansición in e na.
δex :Q×Xb
M→S, unción de ansición ex e na, con
Q={(s, e)|s∈S, e ∈[0, a(s)]}(2.4)
Cada elemen o del conjun o Qes á o mado po dos alo es: (s,e), donde ses un elemen-
o del conjun o Syees un núme o eal posi i o: el iempo anscu ido desde la an e io
ansición del es ado.
δcon :Q×Xb
M→S, unción de ansición con luyen e
λ:S→Yb, unción de salida que depende á de la du ación del es ado.
a :S→R+
0, unción de a ance de iempo.
Al de ini la unción de ansición ex e na, Xb
M ep esen a una "bolsa" de pa ejas (pue -
o,e en o), que con empla el hecho de que pueden llega múl iples e en os simul áneamen e a
un mismo pue o, o a di e en es pue os.

2.1. EL FORMALISMO DEVS 17
De igual mane a, la unción de salida λgene a una "bolsa" de e en os de salida, Yb.
La unción de ansición con luyen e, δcon, iene como inalidad de ini un nue o es ado cuan-
do en un mismo ins an e se ecibe una "bolsa" de e en os de en ada y es á plani icada una ansi-
ción in e na de es ado. Es a unción pe mi e de e mina cuál es el nue o es ado cuando se p oduce
la con luencia de una ansición in e na y o a ex e na.
En cualquie momen o, el sis ema se encuen a en un es ado s. Si no se p oduce ningún e en o
de en ada, el sis ema pe manece á en dicho es ado sdu an e un iempo a(s). Si a(s)=0, el
es ado se conside a de ansición, en el que no es posible que suceda ningún e en o ex e no. Si,
po el con a io, a(s) = ∞, el sis ema pe manece á en al es ado, denominado pasi o, has a que
eciba algún e en o ex e no.
Figu a 2.1.1.a: Diag ama de iempo del modelo a ómico
Cuando el iempo anscu ido en un es ado S supe a a a(s), el sis ema gene a un e en o de
salida λ(s), pasando al es ado s0=δin (s), el es ado de ansición in e na y sabemos que no se ha
p oducido ningún e en o ex e no du an e el iempo pe manecido en el es ado s.
Si an es de p oduci se la ansición in e na ocu ie a un e en o ex e no con alo x, mien as el
sis ema se encuen a en el es ado (s, e), siendo e≤ a(s), el sis ema pasa ía al es ado δex (s, e, x),
pe o sin p oduci se ningún e en o de salida.
2.1.2. Modelo Acoplado
Un modelo acoplado es á cons i uido po un conjun o de modelos a ómicos y/o acoplados,
cuyas en adas y salidas se encuen an in e conec adas en e ellos y con el ex e io del sis ema. Un
modelo acoplado N se de ine:
N=hX, Y, D, {Md|d∈D}, EIC, EOC, ICi(2.5)
donde:
X: Conjun o de e en os de en ada.
18 CAPÍTULO 2. VISIÓN GENERAL
D: Conjun o de los nomb es de los componen es (a ómicos o acoplados).
Y: Conjun o de e en os de salida.
Md: modelo DEVS pa a cada d∈D.
EIC : conjun o de conexiones de en ada ex e nas.
EOC : conjun o de conexiones de salida ex e nas
IC : conjun o de conexiones in e nas.
Figu a 2.1.2.a: Modelo acoplado DEVS
En el ejemplo se mues a el modelo acoplado N, con es componen es M1, M2 y M3, que
pueden se a su ez a ómicos o acoplados, y sus in e conexiones median e los co espondien es
pue os de en ada y salida, así como las conexiones ex e nas de en ada (EIC) y de salida (EOC).
La de inición o mal del modelo ep esen ado en la igu a 2.1.2.a se ía:
N=hX, Y, D, {Md|d∈D}, EIC, EOC, ICi(2.6)
donde:
X= Conjun o de e en os de en ada.
Y= Conjun o de e en os de salida.
D={M1, M2, M3}.
Md={MM1, MM2, MM3}.
EIC ={(N, in)→(M1, in)}.
EOC ={(M3, ou )→(N, ou )}.
IC ={(M1, ou )→(M2, in),(M2, ou )→(M3, in)}.
2.1. EL FORMALISMO DEVS 19
2.1.3. Simulación de modelos DEVS
La o malización DEVS pe mi e la simulación de modelos muy complejos de una mane a
sencilla y e icien e.
La es uc u a del simulado se ob iene a pa i del modelo de inido, de la siguien e o ma:
A cada modelo a ómico DEVS se le asocia un algo i mo denominado Simula o , que ealiza
la simulación del modelo DEVS a ómico.
A cada modelo acoplado DEVS se le asocia un algo i mo denominado Coo dina o , que
ealiza la simulación del modelo DEVS acoplado.
En la aíz de la je a quía del simulado se si úa el algo i mo Roo Coo dina o .
Figu a 2.1.3.a: Es uc u a del simulado DEVS.
El algo i mo de simulación es el siguien e:
1. El Coo dina o solici a que cada Simula o acili e la ho a de su siguien e e en o, seleccio-
nando el que p esen e la meno .
2. Se ac ualiza el iempo de simulación has a el iempo de ansición de su δin .
3. Se ejecu an las unciones λyδin co espondien es al componen e a ómico asociado al
Simula o seleccionado.
4. T as la ejecución de la unción λse p opagan las salidas gene adas hacia los elemen os
conec ados, ejecu ándose las unciones δex de és os.
5. Se uel e a ejecu a el paso 1.
20 CAPÍTULO 2. VISIÓN GENERAL
2.2. Cons ucción de modelos de da a cen e
2.2.1. In oducción
Un cen o de p ocesamien o de da os es una ins alación o mada po múl iples se ido es
cuyo obje i o es el p ocesamien o, almacenamien o y acceso de da os. La p opia de inición de
da a cen e aba ca an o a los pequeños a ma ios de una o icina como a las g andes g anjas de
se ido es de emp esas como Google.
2.2.2. Componen es de un da a cen e
Los da acen e s es án con o mados po un sis ema de e ige ación, un sis ema dis ibuido de
se ido es y, opcionalmen e, un sis ema de alimen ación auxilia .
Sis emas de e ige ación: Un da acen e , al es a cons i uido po se ido es, gene a g andes
can idades de calo que, con los medios in eg ados de disipación de calo no son capaces de
ex ae lo, acumulándose en la es ancia del CPD y a ec ando nega i amen e al endimien o
de las CPUs. Po es a azón se equie e un sis ema adjun o que sea ex e no a los se ido es
y que e i e el ai e calien e que dichos se ido es gene an. Exis en 2 ipos de sis emas de
e ige ación ex e nos a los se ido es:
•Re ige ación In-Rack: Se a a de un sis ema de e ige ación “close-coupled", que
ace ca la uen e ía (el agua) a la uen e de calo (los se ido es), que es al amen e
e icien e en é minos de consumo ene gé ico. Pa a cada ack o ag upación de acks se
le asigna una oma de en ada de agua ía, que se calen a á a pa i del ai e calien e
gene ado po los se ido es del Rack, dando luga a agua calien e que se i á de uel a
po el mismo ci cui o, como se mues a en la igu a 2.2.2.a.
Figu a 2.2.2.a:Sis ema de e ige ación In-Rack[1]
2.2. CONSTRUCCIÓN DE MODELOS DE DATA CENTER 21
Los sis emas de e ige ación In-Rack equie en de 3 componen es ex e nos a los
Rack.
1. Bomba de agua: Se enca ga de mo e el agua calien e y el agua ía a a és del
ci cui o de e ige ación.
2. En iado : El en iado se enca ga de en ia el agua del ci cui o siemp e que el
in e cambiado de calo no sea su icien e pa a en ia el agua a la empe a u a
p ees ablecida ecibida de la e ige ación de los se ido es.
3. In e cambiado de calo : Un in e cambiado de calo es un sis ema que pe mi e
que dos luidos in e cambien calo sin necesidad de mezcla se. Es á o mado po
una cáma a que con iene uno de los luidos y una bobina den o de la cáma a
con el luido a mayo empe a u a. En el MGHPCC el luido ío (a la empe a-
u a del ex e io ) iene de la o e de e ige ación y el agua calien e iene de la
e ige ación de la sala de se ido es.
4. To e de e ige ación. La unción de la o e de e ige ación es en ia el agua
p oceden e del in e cambiado de calo , en iándola de uel a a és e.
•Re ige ación median e CRAC (Compu e Room Ai Condi ioning): A di e encia de
la e ige ación In-Rack, no se basa en la ap oximación del elemen o e ige an e a la
uen e de calo , sino que dispone de un in e cambiado de calo a a és del cual ci cula
el agua ía p oceden e de los componen es ex e nos (bomba, en iado , in e cambia-
do de calo y o e de e ige ación), que abso be el calo gene ado po los se ido es,
en iando el ai e y haciéndolo ci cula de uel a a la zona en que se encuen an los
acks. Es e sis ema es mucho menos e icien e que la e ige ación In-Rack.
Figu a 2.2.2.b. Re ige ación median e CRAC
Sis emas de TIC: Se enca gan de ealiza el abajo de cómpu o del CPD.
Sis emas de alimen ación: Un CPD debe es a disponible en o no al 99 % del iempo, po

22 CAPÍTULO 2. VISIÓN GENERAL
ello exigen uen es de alimen ación auxilia es, pa a que en caso de que alle la Red eléc ica
el CPD no se apague. Suelen es a con o mados po ba e ías y/o gene ado es eléc icos de
diesel o gasolina.
2.2.3. DC-Simula o
DC-Sim nace como un p oyec o pa a la simulación del consumo del MGHPCC (Massachu-
se s g een high pe o mance compu ing cen e ) con el obje i o de se una he amien a pa a la
in es igación en écnicas de educción del consumo en los cen os de p ocesado de da os [1].
La inalidad de DC-Sim es consegui los da os de consumo de un cen o de p ocesado de da os
a pa i de la opología de dicho CPD, una se ie de a eas y los alo es de la empe a u a ambien al.
Exis en dos posibilidades de uncionamien o en DC-Sim:
Funcionamien o es á ico: Como su p opio nomb e indica, el uncionamien o es á ico sólo
ob iene el consumo pa a un momen o de e minado. Se compo a como el uncionamien o
dinámico pa a una única i e ación.
Figu a 2.2.3.a. Funcionamien o es á ico de DC-Sim
Funcionamien o dinámico: La simulación dinámica supone que el sis ema e oluciona en
unción del iempo, es deci , la empe a u a a la que se ejecu a la simulación a ía en unción
de un a chi o de empe a u as y se an ag egando y e minando a eas en los se ido es a lo
la go de dicha ejecución.
Figu a 2.2.3.b. Funcionamien o dinámico de DC-Sim.
Las ases de ambos ipos de simulaciones se esumen en:
2.2. CONSTRUCCIÓN DE MODELOS DE DATA CENTER 23
Con igu ación: A pa i de los da os del a chi o de opología se cons uyen los modelos de
los sis emas con los que abaja el simulado , es deci la e ige ación y la sala de se ido es;
además se con igu an algunos pa áme os como los iempos de inicio y de llegada de los
abajos.
Asignación de a eas: Es a a ea sólo es á disponible en modo dinámico y se enca ga de
asigna las a eas de un a chi o a un se ido . La in o mación de las a eas en el a chi o es:
su se ido obje i o, el iempo du an e el cual sé ejecu a án y cómo modi ican el consumo
dinámico de las CPUs y las memo ias.
Polí ica de e ige ación: Es a e apa se enca ga de modi ica algunos pa áme os de e ige-
ación cómo la elocidad de los en ilado es o la empe a u a del ai e que llega a los acks,
según sea la polí ica de en iamien o empleada.
Cálculo de consumo de ene gía: Es a ase ejecu a la lógica elacionada con el consumo y
de uel e los alo es de po encia y ene gía pa a un momen o de e minado.
2.2.4. Implemen ación de los modelos de consumo en DC-Sim
El simulado ac ual dispone de un modelo pa a cada uno de los elemen os de consumo eléc ico
de un da a cen e e ige ado po un sis ema de e ige ación In-Rack:
El modelo de consumo de da a cen e conside a la con ibución de los k1IRCs, los k2se ido-
es y el sis ema de e ige ación (en iado , bomba de agua y o e de e ige ación). La ecuación
del modelo de da acen e se ía:
PDa aCen e =
k2
X
n=0
Pse e ,n +
k1
X
n=0
PIRC,n +Pchille +Ppump +PCoolingT owe (2.7)
Se ido : El modelo de consumo de un se ido es á de inido po la suma de po encias:
Pse e =Pidle +Pcpu,dyn +Pleakeage +P an +Pmem,dyn (2.8)
Siendo Pidle la po encia co espondien e a la cpu, el disco y las memo ias en idle; Pcpu,dyn y
Pmem,dyn los inc emen os de consumo de po encia de la CPU y la memo ia, espec i amen-
e, al ealiza una a ea; Pleakeage se á el consumo ex a de po encia de i ado del inc emen o
de empe a u a; y el P an end á de la po encia usada po el en ilado . Cabe eco da que
es os alo es a ia án en unción de las a eas y el se ido empleados.
Re ige ado In-Rack (IRC): El consumo de po encia del IRC es unción cúbica con elación
al lujo de ai e que ecibe de los se ido es, ya que debe ex ae el calo de dicho lujo de
ai e median e la en ilación del IRC y la ci culación de agua ía. La ecuación del consumo
de po encia del IRC es:
PIRC =α3∗ai low3+α2∗ai low2+α1∗ai low +α0(2.9)
Siendo ai low la suma del lujo de ai e de los se ido es e ige ados po el IRC co es-
pondien e, y α3,α2,α1,α0coe icien es de la ecuación y especí icos del IRC en cues ión.
24 CAPÍTULO 2. VISIÓN GENERAL
En iado , o e de e ige ación y bomba de agua: El modelo de consumo del sis ema de
e ige ación end á en cuen a la empe a u a ex e io . Si és a es su icien emen e baja se
aplica el modelo de consumo eecooling, en el que Pchille = 0; el PCoolingT owe se ob iene
de una lookup able (LUT) c eada a pa i de las da ashee s acili adas po el ab ican e. Si
no se pudiese aplica una polí ica de eecooling, Pchille end á dado po las siguien e
ecuación:
Pchille =Qe ap
COPchille
(2.10)
siendo Qe ap el suma o io del calo gene ado po los se ido es en iados po cada IRC.
COPchille es el coe icien e de endimien o del en iado :
COPchille =Te ap
T cond −Te ap
(2.11)
donde Te ap es la empe a u a del agua en el e apo ado y Tcond la empe a u a en el con-
densado . Finalmen e, Ppump es p opo cional al lujo de agua del IRC y al cambio de p esión
e in e samen e p opo cional a la e iciencia de la bomba:
Ppump = IRCwa e ∗∆P
pump
(2.12)
2.2.5. DC-Simula o en xDEVS
El obje i o de aslada DC-Sim a SFIDE implica la o malización de un modelo en DEVS a
pa i del exis en e, el cual es ad-hoc. Las en ajas de es a e o malización son:
1. Facilidad de comunicación con o os sis emas DEVS.
2. Sus ancial mejo a de la ges ión del iempo pa a los e en os de simulación.
3. Posibilidad de pa alelización de los e en os, con la consecuen e educción del iempo de
ejecución en opologías con excesi a ca ga de abajo.
En el nue o diseño pa a DEVS los elemen os de consumo de DC-Sim han sido sus i uidos po
componen es de DEVS. Cada nue o componen e dispone de pue os pa a comunica la in o ma-
ción que se in e cambiaban en DC-Sim. La igu a 2.2.5.1 ep esen a un boce o de la es uc u a en
DEVS.
2.2. CONSTRUCCIÓN DE MODELOS DE DATA CENTER 25
Figu a 2.2.5.1: Es uc u a DEVS
32 CAPÍTULO 3. ESTRUCTURA Y COMPORTAMIENTO
Po el pue o de en ada “iWa e Temp” ecibe la empe a u a del agua p oceden e del com-
ponen e Cooling que se i á pa a la e ige ación.
P ocesando los da os ecibidos, gene a las siguien es salidas:
A a és del pue o “oIRCGallons” ansmi e el lujo de agua necesa io pa a la e i-
ge ación.
A a és del pue o “oIRCHo Wa e ” ansmi e la empe a u a del agua de e o no a
Cooling.
A a és del pue o “oIRCPowe ” ansmi e la po encia consumida po el IRC.
A a és del pue o “oIRCA gTempCpu” ansmi e la empe a u a media de las CPU’s.
A a és del pue o “oIRCMaxTempCpu” ansmi e la empe a u a máxima de las
alcanzadas en las CPU’s.
Rack: El componen e a ómico Rack iene dos unciones. Po una pa e, ecibe los abajos a
ejecu a en cada uno de los Se e alojados en él, ansmi iéndoselos a a és de los pue os
de salida co espondien es. Po o a, ecibe los da os gene ados po cada uno de los Se e
pa a gene a las salidas que ansmi i á al IRC.
Figu a 3.1.2.3: Modelo a ómico Rack.
A a és del pue o de en ada “iJob” ecibe los abajos p oceden es del componen e IRC
y los ansmi e a a és del pue o de salida “oJob” co espondien e al se e al que es á

3.1. ESTRUCTURA 33
asignado. Es e pue o de salida es ealmen e un "map"de pue os, exis iendo uno po cada
Se e que se encuen a alojado en cada Rack.
Es án con igu ados seis "maps"de pue os de en ada pa a ecibi de cada uno de los Se e
los da os gene ados po és os:
A a és del pue o “iSe e sPowe IT” ecibe la po encia consumida po las CPU’s,
memo ia y disco del Se e co espondien e.
A a és del pue o “iSe e sPowe FS” ecibe la po encia consumida po sus en ila-
do es.
A a és del pue o “iSe e sAi low” ecibe el lujo de ai e gene ado po sus en ila-
do es.
A a és del pue o “iSe e sTempOu ” ecibe la empe a u a del ai e de cada se ido .
A a és del pue o “iSe e sA gTempCpu” ecibe la empe a u a media de las cpus
con enidas en el se ido .
A a és del pue o “iSe e sMaxTempCpu” ecibe la empe a u a máxima alcanzada
po alguna de las cpus con enidas en el se ido .
Pa a ansmi i los da os gene ados a pa i de la in o mación ecibida de los se ido es
dispone de seis pue os de salida:
A a és del pue o “oRackPowe IT” ansmi e la po encia dinámica, de memo ia y
de disco consumida po los Se e .
A a és del pue o “oRackPowe FS” ansmi e la suma de po encias consumidas po
los en ilado es del conjun o de se ido es.
A a és del pue o “oRackAi low” ansmi e el lujo de ai e gene ado po los en i-
lado es de odos los se ido es del Rack.
A a és del pue o “oRackTempOu ” ansmi e la empe a u a del ai e.
A a és del pue o “oRackA gTempCpu” ansmi e la empe a u a media de odas las
cpus.
A a és del pue o “oRackMaxTempCpu” ansmi e la empe a u a máxima alcanza-
da en las cpus.
Se e : El componen e a ómico Se e es el enca gado de calcula la po encia consumida
po los elemen os de p oceso, la memo ia, el disco y los en ilado es, así como el lujo
de ai e y su empe a u a de salida y las empe a u as máximas y medias de las cpus. Cada
componen e Rack se comunica con SSe e .
34 CAPÍTULO 3. ESTRUCTURA Y COMPORTAMIENTO
Figu a 3.1.2.4: Modelo a ómico Se e .
A a és del pue o de en ada “iJob” ecibe los abajos p oceden es componen e Rack,
calculando en unción de és os los pa áme os que ansmi i á de nue o a Rack a a és de
los pue os de salida:
El pue o “oSe e Powe IT” ansmi e la po encia dinámica, de memo ia y de disco
consumida po el se ido .
El pue o “oSe e Powe FS” ansmi e la po encia consumida po los en ilado es.
El pue o “oSe e Ai low” ansmi e el lujo de ai e gene ado po los en ilado es.
El pue o “oSe e TempOu ” ansmi e la empe a u a del ai e expulsado po el se i-
do .
El pue o “oSe e A gTempCpu” ansmi e la empe a u a media alcanzada po las
cpus que con iene el se ido .
El pue o “oSe e MaxTempCpu” ansmi e la máxima empe a u a alcanzada po
alguna de las cpus.
En la inicialización de Se e se modi ica su es ado y al ejecu a se λlos alo es de inicializa-
ción se colocan en los pue os co espondien es pa a su ansmisión al componen e Rack.
Como e leja la igu a 3.1.2.1, el modelo acoplado Room con iene dos conexiones de en ada
ex e na (EIC):
A a és del pue o “iJob” se eciben los jobs p oceden es de “Jobs Gene a o ” con des ino
a“Alloca o ”.
A a és del pue o “iWa e Temp” se ecibe la empe a u a ex e io , p oceden e de “Co-
oling” con des ino a “IRC”.
Las conexiones de salida ex e na (EOC) son sie e.
Dos pue os conec an con el componen e Cooling:
3.1. ESTRUCTURA 35
El pue o “oIRCGallons” se emplea pa a la ansmisión de la can idad de agua nece-
sa ia pa a la e ige ación.
A a és del pue o “oIRCHo Wa e ” se ansmi e la empe a u a del agua que ci cula
a a és del IRC.
Cinco pue os conec an con el componen e Ene gy Calcula o :
A a és del pue o “oIRCPowe ” se ansmi e la po encia consumida po el IRC.
A a és del pue o “oIRCFSPowe ” se ansmi e la suma de las po encias consumidas
po los en ilado es de odos los Se e e ige ados a a és del IRC.
A a és del pue o “oIRCITPowe ” se ansmi e la suma de las po encias consumidas
po los Se e .
A a és del pue o “oIRCMaxTempCpu” se ansmi e la máxima empe a u a alcan-
zada po alguno de los Se e .
A a és del pue o “oIRCA gTempCpu” se ansmi e la empe a u a media alcanzada
en los Se e del co espondien e IRC.
Pa a conec a los di e en es componen es,cons a de las siguien es conexiones in e nas IC:
Alloca o oJob →iJob IRC
IRC oJob →iJob Rack
Rack oJob →iJob Se e
Se e
oSe e Powe IT →iSe e sPowe IT
Rack
oSe e Powe FS →iSe e sPowe FS
oSe e Ai low →iSe e sAi low
oSe e TempOu →iSe e sTempOu
oSe e A gTempCpu →iSe e sA gTempCpu
oSe e MaxTempCpu →iSe e sMaxTempCpu
Rack
oRackPowe IT →iRacksPowe IT
IRC
oRackPowe FS →iRacksPowe FS
oRackAi low →iRacksAi low
oRackTempOu →iRacksTempOu
oRackA gTempCpu →iRacksA gTempCpu
oRackMaxTempCpu →iRacksMaxTempCpu
Cuad o 3.2: Conexiones in e nas de Room
36 CAPÍTULO 3. ESTRUCTURA Y COMPORTAMIENTO
3.1.3. Cooling
Figu a 3.1.3.1: Modelo acoplado Cooling.
La igu a 3.1.3.1 mues a el modelo acoplado Cooling, que es á o mado po los siguien es
componen es a ómicos:
Chille : Tiene la unción de calcula el consumo de po encia del sis ema de en iamien o del
Da a Cen e a pa i de los da os ecibidos del componen e Room y la empe a u a ex e io
suminis ada po el componen e Wea he . Dispone de los siguien es pue os:
A a és del pue o “iWea he Temp” ecibe la empe a u a ex e io .
A a és de los pue os “iIRCHo Wa e Temp” e“iIRCGallons” ecibe la empe a u a
y lujo de agua de cada IRC que es necesa io e ige a .
A a és del pue o “oColdWa e Temp” ansmi e la empe a u a del agua que si e el
Chille .
A a és del pue o “oWea he Temp” ansmi e a Ene gy Calcula o la empe a u a
ex e io pa a gene a el in o me de la simulación.
3.2. COMPORTAMIENTO 37
A a és de los pue os “oChille Powe ” y“oTowe Powe ” ansmi e a Ene gy Cal-
cula o la po encia consumida po el en iado y la o e de e ige ación, espec i a-
men e.
Cuando se inicializa se cambia de es ado y se ejecu a λ, que coloca en el pue o “oColdWa-
e Temp” la empe a u a del agua ía pa a se u ilizada po el componen e IRC.
Pump: A pa i del lujo de agua que es necesa io hace ci cula pa a la e ige ación, e-
cibido a a és del pue o “iIRCGallons”, calcula la po encia consumida po la bomba,
ansmi iendo el da o a Ene gy Calcula o a a és del pue o “oPumpPowe ”
Como e leja la igu a 3.1.3.1, el modelo acoplado Cooling p esen a es conexiones de en ada
ex e na (EIC):
A a és del pue o “iWea he Temp” ecibe la empe a u a ex e io desde el componen e
Wea he pa a se u ilizado po Chille .
A a és del pue o “iIRCHo Wa e Temp”, conec ado con Chille , ecibe la empe a u a del
agua de cada IRC.
A a és del pue o “iIRCGallons” ecibe el ujo de agua de cada IRC, que es ansmi ido
an o a Chille como a Pump.
Tiene una conexión de salida ex e na (EOC) que conec a con el componen e Room,“oCold-
Wa e Temp”, pa a ansmi i la empe a u a del agua se ida po Chille , y cua o que conec an
con Ene gy Calcula o :
A a és del pue o “oWea he Temp” ansmi e la empe a u a ex e io .
A a és del pue o “oTowe Powe ” ansmi e la po encia consumida po la o e de e ige-
ación.
A a és del pue o “oChille Powe ” ansmi e la po encia consumida po el en iado .
A a és del pue o “oPumpPowe ” ansmi e la po encia consumida po la bomba.
En e los componen es a ómicos del acoplado Cooling no exis e ninguna conexión, po lo
an o és e no iene ninguna conexión in e na (IC=∅).
3.2. Compo amien o
El compo amien o de los componen es a ómicos es á con olado po las unciones:
·δin , unción de ansición in e na.
·δex , unción de ansición ex e na.
·λ, unción de salida.

38 CAPÍTULO 3. ESTRUCTURA Y COMPORTAMIENTO
·δcon, unción de ansición con luyen e. En odos los componen es a ómicos, es a unción
es ablece que se ejecu e en p ime luga la unción δin y pos e io men e δex con e=0,
cuando se p oduzca la con luencia de una ansición in e na con una ex e na.
· a, unción de a ance de iempo, que de uel e siemp e el alo de σ.
3.2.1. Jobs Gene a o
Función de ansición in e na: Lee del iche o de joblogge los da os del siguien e job a
ejecu a y cambia el es ado du an e el iempo que debe que anscu i an es de ansmi i el job
leído.
Función de ansición ex e na:No es á implemen ado ningún compo amien o po que no se
ha con emplado que eciba nada.
Función de salida: Coloca el job en el pue o “oOu " pa a se leído po el componen e Allo-
ca o .
3.2.2. Alloca o
Función de ansición in e na: Inicializa a "0" el job ac ual y cambia el es ado a "passi e".
Función de ansición ex e na: Lee del pue o “iJob" el job a ejecu a y cambia el es ado a
“ac i e" con a=0.0.
Función de salida: Coloca el job en el pue o de salida co espondien e al IRC al que es á
asignado el job.
3.2.3. IRC
Función de ansición in e na: Inicializa a 0.0 odas las a iables y cambia el es ado a "pas-
si e".
Función de ansición ex e na: Lee del pue o “iJob" el job a ejecu a y cambia el es ado a
“ac i e" con a=0.0. Lee odos los pue os de en ada a a és de los cuales ecibe los da os p oce-
den es de los dos Racks, así como el pue o po el que ecibe la empe a u a del agua, p oceden e
de Chille . Cuando dispone de odos los da os cambia de es ado a “ac i e" con a=0.0.
Función de salida: Coloca el job en el pue o de salida co espondien e al Rack al que es-
á asignado el job. Coloca los da os gene ados a pa i de las en adas en los pue os de salida
co espondien es pa a se ansmi idos a Cooling yEne gy Calcula o .
El consumo de po encia del IRC es unción del lujo de ai e que ecibe de los se ido es, ya
que debe ex ae el calo de dicho lujo de ai e median e la en ilación del IRC y la ci culación del
agua ía. El cálculo se ealiza median e la ecuación:
PIRC =α3∗ai low3+α2∗ai low2+α1∗ai low +α0(3.1)
donde:
·ai low es la suma del lujo de ai e de los se ido es e ige ados po el IRC.
3.2. COMPORTAMIENTO 39
·α0,α1,α2yα3los coe icien es de eg esión especí icos del IRC co espondien e. En es e
caso: 198.9612, -0.0317, 3,0196 ∗10−5y1,5658 ∗10−8, espec i amen e.
3.2.4. Rack
Función de ansición in e na: Inicializa a 0.0 odas las a iables y cambia el es ado a "pas-
si e".
Función de ansición ex e na: Lee del pue o “iJob" el job a ejecu a y cambia el es ado
a“ac i e" con a=0.0. Lee odos los pue os de en ada a a és de los cuales ecibe los da os
p oceden es de los Se e . Cuando dispone de odos los da os cambia el es ado a “ac i e" con
a=0.0.
Función de salida: Coloca el job en el pue o de salida co espondien e al Se e al que
es á asignado el job. Coloca los da os gene ados a pa i de las en adas en los pue os de salida
co espondien es pa a se ansmi idos a IRC.
3.2.5. Se e
Función de ansición in e na: Inicializa a 0a a iable cu en Job y cambia el es ado a "pas-
si e".
Función de ansición ex e na: Lee del pue o “iJob" el job a ejecu a y después de ealiza
los cálculos de consumo ene gé ico y empe a u a de los dis in os componen es ( unción upda eS-
a e()), cambia el es ado a “ac i e" con a=0.0.
Función de salida: Coloca los da os gene ados en los pue os de salida co espondien es pa a
se ansmi idos al Rack.
El componen e Se e gene a seis salidas:
se e Powe IT, que se ob iene median e la ecuación:
se e P owe IT =idleP owe +memP owe +cpuP owe +leakageP owe (3.2)
donde memPowe ycpuPowe son la po encia dinámica de la memo ia y cpu, que se ob iene
de los a ibu os del job que se es á ejecu ando, idlePowe es la po encia consumida en eposo
yleakagePowe es el consumo debido al inc emen o de la empe a u a du an e la ejecución
de la ca ga de abajo:
leakageP owe =α0+α1∗TCP U +α2∗T2
CP U (3.3)
donde TCP U es la empe a u a de la CPU y α0,α1yα2coe icien es de eg esión.
se e Powe FS, la po encia consumida po el en ilado , que se calcula en unción de la
elocidad.
se e Ai low, el lujo de ai e, ambién en unción de la elocidad del en ilado .
40 CAPÍTULO 3. ESTRUCTURA Y COMPORTAMIENTO
se e TempOu , la empe a u a del ai e a la salida del Se e , que es di ec amen e p opo -
cional a la empe a u a de inle y a se e Powe IT, e in e samen e p opo cional al lujo de
ai e gene ado (se e Ai low).
se e A gTempCpu, la empe a u a media de las CPU’s. La empe a u a se calcula en un-
ción de la empe a u a de inle , la elocidad del en ilado y la po encia dinámica de la
CPU.
se e MaxTempCpu, la máxima empe a u a alcanzada po una de las CPU’s del Se e .
3.2.6. Wea he
Función de ansición in e na: Lee del iche o de empe a u as el siguien e egis o, si exis e,
y cambia el es ado a “ac i e", si quedan más egis os po lee , o a “pasi e", si ya ha inalizado.
Función de ansición ex e na: No es á implemen ado ningún compo amien o po que no se
ha con emplado que eciba nada.
Función de salida:Si se ha llegado al inal del iche o de empe a u as, coloca en el pue o
“oS op" el booleano alse pa a se leído po Job Gene a o . En caso con a io, coloca el alo de
la empe a u a leído en el pue o “oOu " pa a se leído po el componen e Chille .
3.2.7. Chille
Función de ansición in e na: Inicializa odas las a iables y cambia el es ado a “passi e".
Función de ansición ex e na: Lee odos los pue os de en ada a a és de los cuales ecibe
los da os p oceden es de los IRC, así como el pue o del que ecibe la empe a u a ex e io desde el
componen e Wea he . Cuando dispone de odos los da os cambia el es ado a “ac i e" con a=0.0.
Función de salida: Coloca en el pue o “oColdWa e Temp" la empe a u a del agua pa a se
leída po IRC. En los pue os “oChille Powe ",“oTowe Powe " y“oWea he Temp", espec i a-
men e, los alo es de consumo de Chille y Towe , así como la empe a u a ex e io , pa a se leídos
po Ene gy Calcula o .
3.2.8. Pump
Función de ansición in e na: Inicializa las a iables y cambia el es ado a “passi e".
Función de ansición ex e na: Lee el da o de lujo de agua necesa io pa a la e ige ación de
cada uno de los IRC y en unción de aquél calcula la po encia consumida en el p oceso de bombeo,
as lo cual cambia el es ado a “ac i e" con a=0.0.
Función de salida: Coloca en el pue o “oPumpPowe " el da o de po encia calculado an e-
io men e.
3.2.9. Ene gy Calcula o
Función de ansición in e na: Inicializa las a iables y cambia el es ado a “passi e".
3.2. COMPORTAMIENTO 41
Función de ansición ex e na: Lee los da os de po encia consumida acili ados po los com-
ponen es IRC,Chille yPump, así como la empe a u a ex e na,y los esc ibe en el iche o de
salida.
Función de salida: Al no exis i comunicación hacia ningún o o componen e no es necesa io
que es é de inida.
48 CAPÍTULO 4. RESULTADOS, CONCLUSIONES Y FUTUROS DESARROLLOS
Figu a 4.2.2.b: Tempe a u a ex e io (izquie da) y de los se ido es (de echa). La empe a u a
en los se ido es es á condicionada po la di e en e ca ga de abajo en cada ins an e.
Al cambia de amaño de escena io, lo p ime o que se obse a en la igu a 4.2.2.a es un in-
c emen o en los consumos de odos los componen es p opo cional al inc emen o del núme o
de se ido es. En segundo luga , eniendo en cuen a que el compo amien o del sis ema de
e ige ación es igual en ambos escena ios, se puede obse a un le e aumen o del consumo
de cooling, debido p incipalmen e al aumen o de los galones de agua eque idos po los
IRC y que se á bas an e más signi ica i o en los escena ios pos e io es. Además se sigue
obse ando que los g á icos son iguales en ambos simulado es.
Tempe a u a mode ada
Figu a 4.2.2.c: Consumo po componen es DC-Sim (izquie da) y SFIDE(de echa) en el
escena io mediano con empe a u as mode adas. En ambos modelos se ob ienen alo es iguales
pa a odos los componen es: IT, FS, IRC y Cooling.

4.2. RESULTADOS 49
Figu a 4.2.2.d: Tempe a u a ex e io (izquie da) y de los se ido es (de echa). La empe a u a
en los se ido es es á condicionada po la di e en e ca ga de abajo en cada ins an e.
El inc emen o de la empe a u a ex e io p o oca el aumen o del consumo de cooling de
mane a p opo cional al p oducido en el escena io pequeño. La imposibilidad de e ige a
el sis ema median e eecoling en los momen os en que la empe a u a ex e io es más ele-
ada, hace que el g á ico p esen e una se ie de "picos"de consumo. El mayo núme o de
se ido es, además, hace que el lujo de agua necesa io pa a la e ige ación de los IRC sea
mayo , inc emen ando el consumo de la bomba.
Tempe a u a al a
Figu a 4.2.2.e: Consumo po componen es DC-Sim (izquie da) y SFIDE(de echa) en el
escena io mediano con empe a u as al as. En ambos modelos se ob ienen alo es iguales pa a
odos los componen es: IT, FS, IRC y Cooling.
50 CAPÍTULO 4. RESULTADOS, CONCLUSIONES Y FUTUROS DESARROLLOS
Figu a 4.2.2. : Tempe a u a ex e io (izquie da) y de los se ido es (de echa). La empe a u a en
los se ido es es á condicionada po la di e en e ca ga de abajo en cada ins an e.
En las igu as 4.2.2.e y 4.2.2. se obse a como el consumo de la e ige ación de los se i-
do es y los en ilado es pueden llega a supe a al consumo de IT, dispa ando los consumos
o ales y las empe a u as en momen os de excesi a ca ga de abajo en los se ido es y en
condiciones de al a empe a u a ex e io .
4.2.3. Análisis del iempo de ejecución
Ambos escena ios se p oba on sob a una máquina i ual de Ubun u 16.04 con 3GB de RAM;
el ha dwa e u ilizado ue: un In el Co e i5-5200U @ 2.20Ghz, 8 GB de RAM DDR3L y un SSD
128GB.
Figu a 4.2.3:Tiempos de ejecución en DC-Sim y SFIDE
El iempo de ejecución de ambos simulado es queda e lejado en la igu a 4.2.3. Como puede
obse a se el iempo de ejecución en SFIDE es mayo que en DC-Sim. El iempo de ejecución de
ambos simulado es escala con el núme o de abajos y el núme o de se ido es, pe o en SFIDE
4.3. OTRAS EJECUCIONES 51
el hecho de ene que eco e cada componen e a ómico en busca del meno sigma penaliza su
iempo de ejecución en e a DC-Sim. Además el uso de una memo ia de es ado sólido a o ece
los accesos alea o ios a los nue os a chi os de abajo en DC-Sim.
Se consegui ía una mejo a sus ancial en el iempo de ejecución de SFIDE pasando del si-
mulado secuencial ac ual, a un simulado pa alelo que pe mi iese la "di isión ap oximada"del
iempo de ejecución en e el núme o de hilos pa a la búsqueda del meno sigma en el á bol de
coo dinado es y simulado es, y la ejecución de las unciones de ansición.
4.3. O as ejecuciones
Una ez alidada la nue a implemen ación y con el in de comp oba la lexibilidad y escala-
bilidad del modelo SFIDE, modi icamos la con igu ación del da a cen e de mane a que cada ack
iene nue e se ido es, a los que les asignamos una ca ga de abajo equi alen e a la u ilizada en
el escena io pequeño. Así, enemos una con igu ación con 3 IRC’s, 6 acks y 54 se ido es, con
un conjun o de 330.447 abajos.
Figu a 4.3.a: Consumo po componen es (izquie da) y empe a u a de los se ido es (de echa).
Como puede obse a se en la igu a 4.3.a, el esul ado de la simulación e leja unos da os
cohe en es con espec o a los ob enidos an e io men e.
4.4. Conclusiones
El diseño e implemen ación del modelo SFIDE, obje o del p esen e abajo, con i ma la apli-
cabilidad del o malismo DEVS pa a el desa ollo de es e ipo de aplicaciones. Con los esul ados
ob enidos se demues a que la sepa ación en e el modelo y el simulado es posible, pe mi iendo
además una ex ao dina ia acilidad a la ho a de añadi nue as unciones en u u os desa ollos.
El hecho de que el modelo SFIDE sea independien e del simulado puede esul a in e esan e
ya que, si se desea pa aleliza los e en os pa a un iempo de e minado, e incluso el simulado de la
aplicación, no es necesa io cambia el modelo. Se puede consegui de es a mane a una impo an e
mejo a en el iempo de ejecución cuando el núme o de se ido es sea muy ele ado.
52 CAPÍTULO 4. RESULTADOS, CONCLUSIONES Y FUTUROS DESARROLLOS
Pa a e i ica la alidez de los esul ados ob enidos, se han ejecu ado los mismos escena ios
en el simulado DC-Sim y en SFIDE, comp obando que aquéllos son iguales pa a ambos en odas
las si uaciones.
La mayo lexibilidad y escalabilidad de SFIDE le con ie e en una he amien a muy ú il
pa a la simulación de Da a Cen e de di e en es opologías, con di e en es ipos de se ido es e
incluso en dis in as localizaciones geog á icas sin necesidad de ealiza cos osas adap aciones. La
es uc u a de comunicación en e los dis in os componen es pe mi e la inco po ación de nue os
elemen os de una mane a inmedia a.
Conclusions
The design and implemen a ion o he SFIDE model, ocus o he p esen s udy, con i ms he
applicabili y o he DEVS o malism o he de elopmen o his kind o applica ions. The esul s
ob ained show ha he di ision be ween model and simula o no only is possible, bu also leads
o an ex ao dina y simplici y when adding new ea u es in u u e de elopmen s.
The ac ha he SFIDE model is independen om he simula o migh be in e es ing, since,
i he e en s (and e en he applica ion simula o ) a e o be pa allelized o a ce ain ime, i is no
necessa y o change he model. This way, a signi ican imp o emen in he execu ion ime may be
achie ed, when he numbe o se e s is e y high.
To e i y he alidi y o he esul s ob ained, he same scena ios ha e been execu ed in he
DC-Sim simula o and in SFIDE, and he esul s a e he same in bo h o hem and in any kind o
si ua ion.
SFIDE’s g ea lexibili y and scalabili y makes i a e y use ul ool o he Da a Cen e simula-
ion, wi h di e en opologies, di e en kinds o se e s and e en di e en geog aphic loca ions,
and wi hou he need o any expensi e adjus men s. The communica ion s uc u e be ween he
di e en componen s allows an immedia e inco po a ion o new elemen s.
4.5. Fu u os desa ollos
Es e p oyec o supone la base de nue os desa ollos pa a la simulación de endimien o en cen-
os de da os in eg ados. En un u u o se c ea án nue os componen es pa a el simulado como la
inclusión de nue as polí icas de e ige ación y/o un nue o ges o de la empe a u a de las CPU’s.
Una de las posibles expansiones de es e desa ollo se ía añadi la posibilidad de emplea una
polí ica de minimización de consumo de e ige ación denominada budge hea . Pa a implemen-
a la se ía necesa io un nue o a ómico, el cual ecibi ía po un pue o el suma o io de los consumos
dinámicos que lleguen a los IRC y un pue o del chille que comp uebe si el eecooling es posible
con el calo y la empe a u a ac ual.
En el momen o en que eciba el nue o consumo e e en e a cada abajo debe ejecu a un bucle
que consiga la po ción del calo que es a ex ayendo el Chille se co esponde con cada IRC. Pa a
sabe la empe a u a del chille se debe ex ende el pue o que en ía la empe a u a del chille al
IRC pa a que llegue al nue o a ómico. Una ez hallados es os pa áme os hay que p oba odas
4.5. FUTUROS DESARROLLOS 53
las posibles con igu aciones de en ilado es y empe a u a de inle y ma ca aquellas que no den
p oblemas de empe a u as en las CPU’s. Una ez conseguidas las con igu aciones alidas hay
que disc imina aquellas que enga el meno consumo posible y p ese a dichas con igu aciones
en odos los se ido es e IRC’s.
En es a polí ica de e ige ación se ía in e esan e la inclusión de un simulado pa alelo pa a
DEVS, ya que odos se ido es deben a ia su es ado y sus da os no son dependien es en e
sí dando cabida al pa alelismo p e iamen e solici ado. Además de la mejo a de endimien o del
simulado al eco e el á bol de coo dinado es en un iempo p opo cional al núme o de hilos de
ejecución.
El modelo DEVS pe mi i ía ambién el es udio de la a iación de empe a u as. Sabemos que
la empe a u a de la CPU sigue una exponencial c ecien e, que a ec a al consumo de leakage
(Pleak). Ac ualmen e sólo se calcula el es ado es aciona io, pe o añadiendo una ansición in e na
δin en el componen e a ómico Se e se pod ían calcula es os ansi o ios.
O a de las opciones de ampliación de la uncionalidad es: c ea un nue o a ómico plani icado
que, en ez de ecibi el obje i o de las a eas desde un a chi o de ex o, elija el obje i o de los
abajos p io izando a aquel se ido que menos consumo p oduzca. Pa a ello se ía necesa io que
odos se ido es engan un pue o que lle e al nue o plani icado , se ealice una búsqueda del
mínimo consumo y si se cumplen las es icciones en ia la a ea a ese se ido po el mé odo
ac ual.
Pa a acili a el uso del simulado se pod ía c ea una GUI, que pe mi iese la moni o ización
y ges ión de los dis in os componen es que con o man el da a cen e .

54 CAPÍTULO 4. RESULTADOS, CONCLUSIONES Y FUTUROS DESARROLLOS
Bibliog a ía
[1] MARINA ZAPATER, ATA TURK, JOSE M. MOYA, JOSE L. AYALA AND AYSE K. COSKUN,
Dynamic Wo kload and Cooling Managemen in High-E iciency Da a Cen e s
[2] MARINA ZAPATER, OZAN TUNCER, JOSE L. AYALA, JOSE M. MOYA, KALYAN VAIDYA-
NATHAN, KENNY GROSS,AND AYSE K. COSKUN,Leakage-Awa e Cooling Managemen
o Imp o ing Se e Ene gy E iciency
[3] I. PENAS, M. ZAPATER, J.L. RISCO, J.L. AYALA AND AYSE K. COSKUN,S ide: A simu-
la ion in as uc u e o Da a Cen e s
[4] JOSÉ L. RISCO AND SAURABH MITAL,“xDEVS 20150903"
[5] JOSÉ L. RISCO AND SAURABH MITAL,Ne cen ic Sys em o Sys ems Enginee ing wi h
DEVS Uni ied P ocess
[6] JOSÉ DAMIÁN FERRER QUINTANA,Cen o de P oceso de Da os: el ce eb o de nues a
sociedad
[7] ALFONSO URQUÍA,Modelado de sis emas median e DEVS
55
56 Bibliog a ía
Ag adecimien os
A Jose Luis Ayala, po da nos la posibilidad de a on a el e o que nos ha supues o la ealiza-
ción de es e p oyec o.
A José Luis Risco, Ma ina Zapa e e Ignacio Penas, po su ines imable ayuda pa a la su ela-
bo ación.
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