C i e ios y mé odos de educción del uido
de ase en oscilado es de mic oondas con MESFET.
I.Co bella, L.M.Ca asco
G.A.M.R.
Dep . Teo ia Senyal i Comunicacions
E. T. S. E. Telecomunicació
de
Ba celona
Abs ac . This pape gi es se e a! building c i e ia o he design
o
mic owa e oscilla o s
wi h
MESFET
(MESFET-MWO) in o de o achie e low phase noise.
F om de ice low equency noise model and iden i ica ion
o
phase noise
mechanisms gene a ion and sou ces in MESFET-MWO, a no el exp ession
o
1Hz
single
side
noise
powe
o
ca ie powe
ela ion
o
~( )
unc ion is ob ained.
A low cos X band oscilla o wi h high e iciency and medium powe is buil
o
p o e he me hods
o
phase noise educ ion de i ed
o
ha exp ession.
The phase noise measu ed
o
he buil oscilla o allows us o doub
o
he de ice
noise model used.
!.Modelo
de
Ruido. Base Teó ica. El modelo ci cui al de uido simpli icado de un
MESFET es el expues o en la igu a 1 ( ecuad o de línea pun eada). El uido p esen e es
modelado en o ma de un gene ado equi alen e de uido eg( ) cuya densidad espec al de
po encia sigue una ca ac e ís ica in e samen e p opo cional a la ecuencia ( uido
Flicke
o 1/ ) [1], [6] con lo que la po encia de uido se concen a en la banda de ecuencias más
bajas (BF).
La apa ición de es e uido de baja ecuencia (BF) en las inmediaciones
de
la
ecuencia de oscilación 0 (en o ma de bandas cola e ales de uido AM y FM) es
consecuencia de la in e modulación en e 0 y dicho uido BF dado el ca ac e
inhe en emen e no lineal de
un
oscilado . Es e enómeno es denominado habi ualmen e en
la li e a u a como
Upcon e sion
[2].
A pa i de la adecuada manipulación de la exp esión clásica de la elación
Po encia
de
uido
en
una
banda
de
1
Hz
a
Hz
de
la
ecuencia
de
oscilación a
Po encia
de
ecuencia
de
oscilación (exp esión comúnmen e no ada como
~( ))
ob enida po
Ku okawa en [3], jun o con las apo aciones de Debney&Joshi [4] y G a euil
e
al
.
[5]
se ob iene la exp esión pa a
~( ),
siguien e [6] :
K2(
p)
con
S
=-
-
(E<:.IJ.
g ! L.Z
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