Analoghi elettronica di selezione e di accensione per macchine per il calcolo del gas a microfine

akult

ysik

und

Astronomie

Ruprec

t-Karls-Univ

ersit

Heidelb

erg

Diplomarb

eit

Studiengang

ysik

orgelegt

Boris

Glass

aus

elzheim

Septem

Analoge

Auslese-

und

riggerelektronik

Mikrostreifen-Gasz

ahler

Die

Diplomarb

eit

wur

von

Boris

Glass

ausgef

uhrt

Physikalischen

Institut

unter

der

Betr

euung

von

Herrn

Ulrich Ström, autore della Hera-B Exp erimen Deutsch Electron Sync hrotron Hamburg, si propone di sviluppare la CP-V violazione della decomposizione dei B-mesoni.

Als

Detektoren

sind

der

wic

klung

endlic

Mikrostreifengasz

ahler

(MSGC)

In collaborazione con l'Istituto Max-Planc K Kernph ysik Heidelb è stato realizzato un sistema ASIC come elettronica di selezione destinata a utilizzare un rilevatore interno e un rilevatore di silicone.

Diese

Baugrupp

ist

eil

der

genann

ten

tegrierten

haltung

und

dien

dazu,

orv

erst

arkte

analoge

Signale

mit

einer

Referenzspann

ung

ergleic

hen

und

ein

riggersignal

abzuleiten. Il mio lavoro comprende anche le misurazioni effettuate in questo prototipo di atteggiamenti quali la costruzione di infrastrutture elettroniche MSGC e l'elettronica di selezione. Analog readout and trigger electronics for micro strip gas ham ers: The exp erimen HERA-B, whic curren tly under construction DESY Ham burg, designed measure violation the symmetry the system neutral mesons.

The

\Ph

ysik

alisc

hes

Institut

der

Univ

ersit

Heidelb

erg"

con

tributing

the

dev

elopmen

the

inner

trac

king

Il sistema interno trac king detector sarà costituito da micro strip gas ham ers (MSGC) con custom made readout electronics. These application ecic tegrated circuits (ASICs) are designed eration with the \Max-Planc k-Institut Kernph ysik". This thesis cumen the dev elopmen and testing fast comparator circuit tegrated the readout hip HELIX.

The

circuit

compares

pre-amplied

analog

detector

signals

with

programmable

reference

oltage

and

deliv

ers

fast

digital

signal

the

rst

lev

trigger

(FL

T). Diversi prototipi di ASIC sono stati testati, e PCB for readout and electronics tests dev elop ed. I contenuti indicano l'introduzione 1.1 erletzung der CP-Symmetrie 1.2 B-Meson-F abrik 1.3 Das HERA-B Exp erimen 1.4 Inner rac 1.5 La struttura e il principio di funzionamento di un gas a microtrasse 1.6 connessione dell'elettronica di selezione la simulazione dei segnali MSGC 2.1 Mon Carlo Sim ulation der Signalen tsteh ung 2.2 I sistemi di trasmissione dei segnali sono stati testati con adattatori ceramici. 3.1 Adapter Dic klm tec hnik 3.2 tersuc ung utzstrukturen den erst ark ereing angen 3.3 Adapter unnlm tec hnik Dieren tieller Komparator 4.1 Dierenzv erst ....

... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ...

... ... ... ... ... ... ... estc hip Idex 5.1 Komp onen ten .... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... ... 5.4.1 struttura 5.4.2 test non funzionante 5.4.3 ellen ottenere 5.4.4 opplungssc contenuto 5.4.5 C-copping 5.4.6 Flank divisione 5.4.7 requenz passaggio del comparatore 5.4.8 Helix-V orv ... prima

5.4.9 Osetsc annunciato 5.4.10 emp eraturv Helix 128S-2 6.1 Selezione delle funzioni dei chip per la scheda est kung 6.2 Discarica di funzionamento dell'Elix128S-2 del MSGC riassunto Il primo capitolo dell'Isic delle mesone B descrive il concetto di HERA-B per il sistema amero interno.

Insb

esondere

wird

ein

erblic

den

Signalw

ioni-

sierenden

eilc

hen

der

Spurk

ammer

bis

zur

Ausleseelektronik

geb

Il terzo capitolo riguarda i test di carico degli adattatori di ceramica che, oltre alla loro funzione principale, i microfichi addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura addirittura all'elettronica.

Der

erpunkt

der

Arb

eit

liegt

Kapitel

Quattro. Qui viene lanciato un'atteggiamento comparatorico diverso e la sua realizzazione un out esc hrieb en. Il nono capitolo documenta la progettazione di un estc hip e le misurazioni di questo estc hip per caratterizzare il comparatore.

hlielic

bietet

das

siebte

Kapitel

eine

Zusammenfassung

die

gew

onnenen

Risultati. 1.1 violazione della simmetria CP Un ruolo importante nella prima analisi delle simmetrie.

enn

sic

eilc

hen

und

titeilc

hen

der

Natur

ollig

symmetrisc

erhalten,

hab

wir

eine

oglic

eit

festzustellen,

wir

einer

elt

eilc

hen

der

einer

elt

ti-

teilc

hen

leb

L'università è prevalentemente costituita da materia e quasi una timateria, e l'area dell'elemento tarteilc hen è diventata un motore simmetrico a causa della decomposizione dei K-mesoni, causando l'infarto CP-V, eobac tet [SP97].

Eine

theoretisc

Erkl

arung

der

CP-V

erletzung

wurde

Koba

ashi

und

Mas-

orgesc

Si tratta di un'equazione utile, perché a quel tempo non esistevano tre quarchi e non si trattava di un quarco, in quanto un'equazione pagana è stata realizzata.

Ein

Quark

mit

der

Ladung

(u,

ann

durc

hselwirkung

ein

Quark

mit

der

Ladung

(d,

ergehen,

der

auc

umgek

Il quark di origine di un quarco di un altro quarco è proporzionale al quadrato della sua amplitudine: questi nove riassumono una matrice di tre.

Diese

Matrix

nenn

man

Cabibb

o-Koba

ashi-Mask

Matrix

(CKM-

EINLEITUNG

V V

cd cb

ud ub

0.0

0.4

V V

V V

td tb

Abbildung

Das

Unitarit

atsdreiec

eransc

haulic

eine

der

Unitarit

atsb

ezieh

ungen

der

CKM-Matrix

(Glg. 1). L'inclinazione è un'inclinazione diretta che si trova nella violazione CP-V [SP97 La linea punteggiata omsc qualitativamente copre l'area in cui si trova la punta del triangolo [pro94 matrice] [PRSZ95]: CKM framework standardmo del dell'elemento tarteilc henph ysik essere l'unità della matrice CKM, quindi la relazione non è completa.

Damit

erringert

sic

die

Zahl

unabh

angiger

arameter

der

CKM-Matrix

auf

vier,

die

als

drei

reelle

Wink

und

eine

imagin

are

Phase

gew

ahlt

erden

La seguente unità è: (1) essa è considerata come un'unità separata dal complesso di un'operazione (Fig. 1). Durc la fine della CP-operazione si riferisce a un processo di interazione che la matrice CKM ha combinato con il suo complesso: una matrice CKM puramente reale indica che l'interazione CP-in è ariana.

Komm

ein

imagin

arer

teil

den

Matrixelemen

ten

or,

ann

die

CP-Symmetrie

nic

erhalten

In questo caso, una particolare reazione di decomposizione dei mesoni B tersuc amlic della decomposizione di un mesone bd) un -T eilc hen cc) e un mesone 1.1 violazione della simmetria CP.

Die

ergangsw

ahrsc

heinlic

eit

ist

dann

prop

ortional

und

damit

oen

bar

CP-

arian

Erst

durc

die

erlagerung

mehr

als

einer

Amplitude

ann

ein

CP-v

erletzender

Eekt

L'infrazione CP-V della reazione non è avvenuta con la decomposizione del mesone, ma si è verificata una ripartizione orangeggiata [Alb87].

Durc

das

quan-

tenmec

hanisc

erhalten

tsteh

eine

terferenz

der

eiden

Reaktionszw

eige. Nur durc diese terferenz wird die CP-V erletzung eobac tbar. Il tempo che consente la Cper violazione è il tempo di conversione della terraferenza con la frequenza di conversione. La differenza di massa tra il mesone a breve durata e il mesone a lungo durata è che il mesone a breve durata è misciugato e il mesone a lungo termine è l'interscambio del quark.

heidend

eim

t-Quark-Austausc

zwisc

hen

und

d-Quark

des

B-Mesons

sind

die

CKM-

Matrixelemen

Der

ormalism

der

CP-V

erletzung

Standardmo

dell

liefert

die

Zerfallsrate

eines

Mesons

einen

Endzustand

als

unktion

der

Zeit

[SP97]:

sin

und

sin

ist

die

Anzahl

der

erzeugten

-Mesonen

und

ihre

mittlere

Leb

ensdauer. Si può vedere che i tassi di decomposizione del tessuto e del suo tessuto si riducono fino a quando l'immagine artile degli elementi della matrice CKM è pari a zero. Dall'unità di attresiec (Fig. La relazione è sinistra. L'obiettivo dell'esplorazione HERA-B è quello di misurare l'assimmetria dei tassi di decomposizione e, in tal modo, di produrre almeno una violazione del CP-V dei mesoni B.

Die

Reaktion

nenn

man

auc

den

goldenen

Zerfallsk

anal

(Abb. 2). Essa si riunisce direttamente e senza correzioni complicate con i parametri linguistici fondamentali dell'interazione. allem ist der Endzustand des Zerfalls ein CP-Eigenzustand. Questo stato finale di carica simmetrica, tuttavia, fa stimare indirettamente la reazione di una delle parti di una tribù, poiché i quarchi di una tribù sono sempre presenti e quindi la formazione di un mesone B viene sempre generata.

ahlt

ein

B-Meson

den

goldenen

Zerfallsk

anal,

onnen

durc

tersuc

ung

des

Zerfalls

des

artnerteilc

hens

die

Ausgangsteilc

hen

und

iden

tiziert

1.2 B-Mesone-F è un segnale di un'accurata conseguenza della decomposizione, in quanto il canale produce grandi quantità di B-Mesone.

Gegen

artig

tstehen

elt

eit

vier

Exp

erimen

zum

Nac

eis

CP-V

BABAR SLA Stanford/USA, BELLE KEK Tsukuba/Japan, HERA-B DESY Ham Borg e LHC-B CERN Geneva/Sc eiz (in programma).

ter

Ber

ksic

tigung

der

egrenzten

Luminosit

der

Be-

hleunigers

erw

artet

man

bis

Ereignisse

pro

1.3 L'ERA-B esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp esp

3) Il piano LHC-B exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp exp

HERA-B

wird

zur

Zeit

Exp

erimen

tierhalle

est

HERA-

Ring

aufgebaut,

dem

ereits

die

Exp

erimen

H1,

ZEUS

und

HERMES

etrieb

Invece, come un solido arget, il metaldr rappresenta l'halo del raggio protonico, cioè un bordo erico che domina l'eic, comunque erlorengeh.

Abbildung

ist

der

Aufbau

des

Detektors

L'argette è di metallo, la distanza è di alcuni millimetri, la distanza è di alcuni millimetri, la distanza è di alcuni millimetri, la distanza è di alcuni millimetri, la distanza è di alcuni millimetri, la distanza è di alcuni millimetri, la distanza è di alcuni millimetri, la distanza è di alcuni millimetri, la distanza è di alcuni millimetri, la distanza è di alcuni millimetri, la distanza è di un millimetro, la distanza è di un millimetro, la distanza è di un millimetro, la distanza è di un millimetro, la distanza è di un millimetro, la distanza è di un millimetro, la distanza è di un millimetro, la distanza è di un millimetro e la distanza è di un millimetro.

diesem

Ring

erden

Protonen

mit

GeV

und

Elektronen

mit

GeV

auf

gegenl

augen

Bahnen

gesp

eic

Gli anelli DESY e PETRA sono tensi intorno al raggio protonico, un rilevatore ertex di strisce di silicone (SVD) che permette di determinare l'esatto punto di interazione e il secondo di ertice dei mesoni B.

Das

innere

Spurk

ammersystem

(ITR)

dien

zur

Spurrek

onstruktion

der

Sekund

arteil-

hen

einem

Wink

zur

Strahlac

hse

:::

L'OTR (Outer Spurk Ammer System) misura gli impulsi della terra con un elettrometro magnetico proveniente da un dip olmagnetico e con l'avanguardia del rac king-system.

Ein

elektromagnetisc

hes

Kalorimeter

(ECAL)

detektiert

L'intero rivelatore si accende ad un angolo con la radiazione. 1.4 Inner Rac Le richieste dell'intero rivelatore sono accelerate fino a che la terra non si estende.

Spuren

eindeutig

rek

onstruieren

onnen,

ist

daher

eine

hohe

Gran

ularit

1.4

Inner

rac

The HERA-B Experiment

at DESY

Ring Imaging

Contatore Cherenkov

250 mrad

220 mrad

160 mrad

Magnet

Si-Strip 

Vertex

Detector

TRD

Calorimeter

Detettore di muoni

Target

Wires

0 m

Photon

Detector

Mirrors pianificati

View

Side

View

Proton beam

Radiodiffusione

Proton beam

Radiodiffusione

Specchi sferici

Vessel di vertice

Inner/Outer Tracker

Beam

Pipe

Abbildung

hnitt

durc

den

Detektor

(ob

en:

Aufsic

ten:

Seitenansic

erforderlic

Auerdem

darf

die

Strahlen

elastung

nic

einem

Ausfall

des

Inner

rac

ers

Un rilevatore molto giovane è in grado di soddisfare queste esigenze, altrimenti i microstreifengas ahler (MSGC) rappresentano una sorta di analisi molto profonda del prop ortionalz ahler.

Rund

74.000

MSGC-Kan

ale

erden

zur

Erzeugung

riggersignalen

aus-

gew

Un sistema di rilevazione è composto da quattro MSGC che si affacciano e da un raggio di dec (Fig. 8).

Dies

liegt

der

nac

auen

stark

abnehmenden

Spurdic

L'uso di questo rilevatore è stato determinato da una grande quantità di spari (Sparks) utilizzando gli MSGC (Bre97 Win ter 1996/97), un MSGC con un'elettro-densificante come gasv orv erst ark (GEM) che ha risparmiato i problemi con gli spari e ha consentito un'operazione stabile di un est-beam.

Die

orliegende

Arb

eit

ezieh

sic

stellen

eise

auf

die

einfac

MSGC

ohne

Gasv

or-

erst

ark

La struttura e il principio di funzionamento di un microtrasporto di gas è il principio essenziale dei seguenti elementi (Fig. 1).

7):

Der

den

der

Kammer

wird

aus

aus

einem

dic

Glasw

afer

gesc

hnitten. Questo è strutturato in oro, in alluminio di cromo e in fotolitografia adiacente. D'altra parte, si tratta di uno strato ormeggio di Ano den e di Katho den Dar, la distanza della camera è di alcuni millimetri durc una dec metallisata oll hig abgesc, il gleic h tempestivamente serve come elettro di derivazione tutti un MSGC con GEM (gas-electron multiplier) [Oed97 è tenso tra hen den e Dec un foriato e unilateralmente metallisato capton folio che serve per il gasv orv prima arcamento La tersa parte del vetro di den è enfalls metallisc esc hic tet.

Diese

Bac

kplane

erringert

das

ersprec

hen

zwisc

hen

den

Ano

den

und

die

Eink

opplung

orsigna-

len

der

Umgebung

auf

die

Ano

den. Un strumento di conduzione (coating) dell'ano den e del katho serve a scaricare carichi statici sul sottostrato di vetro che alterano l'oniguration dell'eldk e, a lungo termine, alterano il sottostrato elettrico. 1.5 La struttura e il principio di funzionamento di un'amplificatrice per la selezione di 300° di gas a microstato - Cluster K=catode A=anode di particolaio di vetro ionizzante rivestimento 300° di diamante (170° di larghezza) (10° di larghezza) 3.5mm 3.5mm 84° di GEM GEM Copertura di vetro 100° di oro vaporizzato Ar/DME Ar/DME immagine Quersc hnitt durc un MSGC con gasv orv prima arco Zwisc hen i lati eidi del gasv prima arco (GEM) viene impostato un tenso fino a un tenso.

ypisc

Betriebsspann

ungen

der

MSGC

mit

GEM

sind

zwisc

hen

Katho

den

und

Ano

den

und

zwisc

hen

Driftelektro

und

Ano

den. Il bac kplane è situato su Ano denp oten tial. Nel caso dell'MSGC senza GEM, l'intero gasv si svolge solo tra Katho e Ano. Un ionizzante attraversa il gascamero di un MSGC con i seguenti passaggi per produrre un segnale: un ionizzante trasversa il gascamero generando sul suo circuito ioni e elettroni.

Bei

dieser

prim

aren

Ionisation

tstehen

allgemeinen

mehrere

Grupp

(cluster)

ionisierter

eilc

hen,

die

wiederum

aus

mehreren

Ionen-Elektronen-

aaren

In questo modo viene impedito un binamento, gli ioni all'altro verso il dec e gli elettroni all'altro verso la catho e l'ano.

Bei

einer

MSGC

mit

einer

Gasv

orv

erst

arkungsfolie

(GEM)

ussen

Elektronen

aus

dem

eren

Gasraum

die

olie

durc

La pressione generata dal GEM deforma il campo d'azione, poiché le linee di combustione consentono di ingerire fortemente l'olio, mentre gli elettroni della terra possono ingerire fortemente l'olio, poiché essi stessi sono ionizzanti e producono un ionizzante.

nac

Einstellung

der

Kammerparameter

wird

jedes

Prim

arelektron

Mittel

durc

eitere

Elektronen

erst

arkt

Nac

dem

Austritt

aus

der

olie

driften

die

Elektronen

eiter

zum

den

der

L'energia elettrica è forte, in quanto ogni secondo gli elettroni entrano immediatamente nell'ano, ma l'effetto attraente degli ioni ossivi è più forte.

Absc

hnitt

2.1

esc

aftigt

sic

mit

der

Sim

ulation

dieses

1.6 connessione dell'elettronica di selezione prima posizione seconda (stereo) posizione Helix chip (in ogni MSGC) MSGC direzione delle strisce anodine y (verticale) (stereo) x (orizzontale)

Die

Ausleseelektronik

wird

direkt

die

Kammern

mon

tiert. L'immagine mostra come un doppio di MSGC viene montato sul tubo a raggi. Gli ANO si muovono sulla riva dell'Acce e si riescono a ritrovare una ricchezza locale. Per selezionare gli MSGC, l'ASIC Lab Heidelb ha effettuato un'applicazione di un circuito segregato (ASIC: application ecic tegrated circuit).

Der

soge-

nann

Helix128S-2

stellt

die

aktuelle

ersion

dieses

Mikro

hips

dar. L'associazione degli MSGC con gli ASIC è effettuata su scala nazionale. Ogni MSGC nutre di anodi con un ansc hlupitc che usano gli anodi con un helix chip e un pitc con un anodino. Queste connessioni sono state realizzate attraverso un olienco di capton con conduzioni di rame e un innesto di ceramica che viene incollato su una piastra insieme ai chip Helix.

Das

Kaptonk

erringert

den

Pitc

auf

Mit

einem

eziellen

Das

Asic-Lab

Heidelb

erg

wurde

als

gemeinsame

Einric

tung

des

Instituts

henergieph

ysik,

des

Max-Planc

Instituts

Kernph

ysik

und

des

ysik

alisc

hen

Instituts

gegr

L'obiettivo dell'ASIC-Labors è quello di utilizzare gli ASIC e gli FPGAs (eld programmable gate arrays).

Zus

atzlic

alt

der

Keramik-Adapter

einen

Widerstand

pro

Kanal,

der

zum

hspann

ungssc

utz

des

Auslesec

hips

eitr

Nel settore della ceramica e della strutturazione dei circuiti elettrici e dei circuiti elettrici, si tratta di una serie di tecnologie.

Die

elektrisc

erbindung

zwisc

hen

Keramik-Adapter

und

Helix-Chips

wird

durc

Wire-

Bonden

La prima volta che la connessione è stata effettuata con un fine filo d'alluminio Durc hmesser, che non mangia nulla, ma che viene riscaldato con un punteggio di destinazione e con un polso di emissione ultrassomatica, il durc è causato da un ionizzante ionizzante dell'MSGC che carica l'anno dell'MSGC fino all'orv arc del chip Helix.

Der

orv

erst

ark

und

der

nac

hfolgende

Impulsformer

erzeugen

einen

Spann

ungsimpuls,

dessen

Amplitude

linear

zur

eingek

opp

elten

Ladung

abh

angt. Questo segnale finirà rapidamente: il percorso analogo servirà per l'espulsione del segnale. Una piattaforma (pipe) con la quale la tensione si allontana fino a un'elezione dura tra le piattaforme. Il percorso di rigger illumina il segnale con un riggersc elle e genera un segnale di rigger digitale a partire da quattro enac barten.

Der

ergleic

des

Signals

mit

einer

Referenzspann

ung

riggerpfad

gesc

hieh

durc

einen

Komparator,

der

Kapitel

esc

hrieb

Il comparatore è stato collegato all'Elix128S-2. Il capitolo riassume le funzioni dell'Elix128S-2.

Auerdem

wird

der

Protot

einer

Leiterplatte

den

Betrieb

der

Auslesec

hips

mit

der

MSGC

HERA-B

Exp

erimen

esc

hrieb

en. Simulazione dei segnali MSGC L'elettronica di selezione ottimizza un rilevatore, si inizia come i segnali del rilevatore si trovano e si spostano verso l'elettronica. Nel corso della lavorazione dell'MSGC HERA-B è stato richiesto, con l'aiuto di Ano den e Katho, di produrre MSGC robusti in oro, che non possono essere distrutti.

Rho

dium

und

erst

rec

Chrom

esitzen

einen

esen

lic

oheren

elektrisc

hen

La resistenza è associata alla capacità evitabile di Ano e Katho di produrre una drastica riduzione della resistenza dei segnali.

2.1

Mon

Carlo

Sim

ulation

der

Signalen

tsteh

ung

Mit

einer

Mon

te-Carlo-Sim

ulation

soll

der

Kapitel

1.5

esc

hrieb

ene

organg

der

Signalen

steh

ung

der

MSGC

nac

ollzogen

erden. Con questo metodo si sono verificati gli eventi statistici relativi alle notifiche ricevute. Questa simulazione è stata creata e, pertanto, ha un MSGC senza GEM. Per esempio, la primaria ionizzazione si compone di una stima di quanti cluster si trovano e di quanti elettroni si trovano nei singoli cluster [Sc h96

Die

Orte

der

einzelnen

Cluster

sind

die

Flugbahn

des

eilc

hens

gleic

In questo caso, si utilizza un'imperificazione fiscale (vedi allegato A.1).

Nun

wird

die

Drift

der

einzelnen

Cluster

bis

zur

Ano

delliert. Ogni cluster ha il suo tempo di funzionamento fino all'anno. 2.1 La simulazione dei segnali di un cluster ha tuttavia un'estensione, il percorso di oscillazione dell'espulsione elettrica e dell'aumento del gas è presunto, dato che l'orario di arrivo dei singoli elettroni di un cluster è dato a gauv.

Das

Sim

ulationsprogramm

baut

eine

elle

endlic

groer

Zeitabsc

hnitte

auf

und

eic

hert

darin

die

Anzahl

der

jew

eiligen

Zeitabsc

hnitt

angek

ommenen

Elektro-

Un'anometro è un'anometro empirico. Un'anometro è un'anometro. Un'anometro è un'anometro. Un'anometro è un'anometro. Un'anometro è un'anometro. Un'anometro è un'anometro. Un'anometro è un'anometro. Un'anometro è un'anometro. Un'anometro è un'anometro. Un'anometro è un'anometro.

wird

angenommen,

da

die

alfte

der

Elektronen

sofort

freigegeb

wird,

die

andere

alfte

erst

nac

einer

Zeit,

die

durc

eine

eitere

empirisc

erteilung

estimm

wird

(siehe

Anhang

A.2). 1e-07 2e-07 3e-07 4e-07 5e-07 1e-07 2e-07 3e-07 4e-07 5e-07 1e-07 2e-07 3e-07 3e-07 5e-07 1e-07 1e-07 2e-07 3e-07 3e-07 4e-07 5e-07 Figura Quattro esempi di un segnale simulato MSGC che hanno resistito al corso più volte dello stesso programma. Se la simulazione viene eseguita molto spesso e un istogramma mostra il carico totale degli eventi, si ottiene una distribuzione rilasciata dal Landau-V [Leo87 nahek omm SIMULA TION DER MSGC-SIGNALE Figura 10: distribuzione del carico totale degli eventi.

Anhand

dieses

Plots

(Fig. 10) è stato ben spiegato che la tensione di carico è correlata a un MIP (micro-ionizzante). In questa camera sim uliated è l'ahrsc heinlic hste carica che durc un MIP causerà l'erw di crescita è il gleic eilc hen onn auc un nic mebar piccolo segnale di generare una carica più 2.2 In seguito alla continuazione del segnale, quando gli elettroni sono entrati dal gas, l'anno trasmette la carica e, in ultima analisi, rilascia l'anno all'ingresso dell'arco di scarico.

Ano

und

Katho

hab

einen

geringen

Quersc

hnitt

und

damit

einen

nennensw

er-

ten

ohmsc

hen

Widerstand. Inoltre, tra loro, Ano de, Katho e Bac si propongono un'accelerazione apasiva. Gli anni successivi sono indicati nella geometria dell'ano di oro, di rho dium e di cromo e nella resistenza dell'ano di oro e di cromo [Sc h96 eac ten, dal momento che ogni ano di katho lo consuma come nac barn.

tritt

also

gleic

eimal

pro

Ano

auf. L'Omsc si oppone ai materiali finiti e alla trasformazione delle strisce, ma al metodo di fabbricazione. 2.2 Retturazione della rete di segnalazione Figura 11: R-C-Net riconosce come elettrico il sistema di un MSGC in grado di ridurre la sua capacità e la sua capacità, finisce una rete discreta (Fig.

11) Un ano e un enac barte dissolve le posizioni di una serie di posizioni a causa dell'altro; la somma della resistenza dà l'ano o il katho a causa della resistenza.

hlielic

stehen

jew

eils

Kondensatoren

die

Kapazit

Ano

und

Katho

mit

der

Bac

Il bac kplane è il simulazione definito come zero o meno. L'anno in cui gli elettroni entrano l'anno viene generato da una fonte di corrente tra l'anno e il katho sim.

tsprec

hend

der

Ano

den

terteilung

neun

Widerst

ande

ann

das

Signal

zehn

ersc

hiedenen

Stellen

eingesp

eist

erden

(Im

Netzw

erk

Un lato dell'ano è erodito con l'ingresso dell'orv prima dell'arco; come semplice sostituzione, il carico di un condensatore e di una resistenza alla massa dell'arco finisce sulla terra.

Das

Ergebnis

einer

Sim

ulation,

der

ein

-Impuls

das

C-Netzw

erk

eingesp

eist

wurde

zeigt

Abbildung

Il tempo di funzionamento dei capitoli primari e la diffusione dei segnali sul circuito dell'anno stimano l'esatto tempo di tagliazione della selezione. SIMULAZIONE DEL SIGNALE MSGC Figura 12: Simulazione della rete C-Signal: nella rete mostrata nella figura si osserva un'ormica pulsazione di corrente tra i nodi della rete e l'ingresso.

Die

Ano

den-

und

Katho

den

widerst

ande

tsprec

hen

einer

Gold-b

esc

hic

teten

MSGC. L'aumento del segnale e l'espansione del segnale sull'anno, la riduzione dell'amplitudine. I terreni mostrano tre plot come Sic diffonde il segnale sul Katho. L'anno scorso la MSGC ha effettuato test con adattatori di ceramica, che hanno permesso l'uso di una piattaforma oliva exibles con la piattaforma Helix (cap.

6.2)

L'elettrico ha un rastrello sul lato MSGC (pitc Il piccolo pitc dell'ingresso dell'elettrico è azionato a terra con un pitc di olio.

Der

MSGC-Pitc

wird

auf

dem

olienk

hon

auf

reduziert,

den

Adapter

klein

halten. L'erba mangia la produzione e riduce i costi di produzione. Quando gli agenti dell'MSGC sono stati forniti prototti dell'elice, sono stati dotati di utzdio e viceversa. L'est ha dimostrato che, poiché queste strutture utz sono da sole nic ausreic hend [Bec96 La resistenza tenuta sul chip è resistente al carico di un HVersc hlag nic.

Der

utzwiderstand

soll

daher

extern

angebrac

A causa dei problemi di spazio derivanti dalla semplice connessione elettrica, la resistenza alla terra è stata alterata nell'adattatore di ceramica.

La

fabbricazione

di

acciaio

è

stata

und

erarb

eitung die

Pro

duk-

tion

der

Keramik-Adapter unnsc hic

ttec

hnologie

einen

ommerziellen

Hersteller

erge-

Il mio compito è quello di misurare la resistenza della resistenza alla densità e alla resistenza, di verificare l'insufficiente connessione del chip Helix con gli adattatori di ceramica e di valutare un'adeguata dimensione della resistenza in base a tali risultati.

3.1

Adapter Dic

klm

tec

hnik

L'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria

dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria

dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria

dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria

dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria

dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'industria dell'energia

Le

strutture di rotaia

terrestre

Kera-

mikplatten aus

aufgedruc [Geb97

Die

Paste di

rotaia

di

stazione

superiore

einem

Gemisc

Silb

er-P

alladium- und

Particolo di

vetro

osungsmittel

eingeb

ettet

I condotti stampati su un forno di metallo incandescono gli elementi e formano una struttura di conduzione.

Danac

ann

die

haltung

eiter

aufgebaut

erden,

Per esempio, la pressione di un circuito isolato e di un circuito vuoto che si estende con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito con il circuito.

Die Isolationspasten stehen

meist

aus

Glas-P

artik

eln

pastenf

ormigen

L'esistenza di una resistenza all'incremento della superficie del pianeta è determinata dal fatto che ciascuno di essi è stato incinerato sul pianeta.

enn

Tutti

gli

hic

ten stampati

e

bruciati

Sono,

sulla

terra,

la resistenza

con

Aiuto

di

un

laser

ad

alta frequenza di applicazione

MIT KERAMIK-AD APTERN

Abbildung

13:

Keramik

Adattatore di diametro di diametro di diametro di diametro di diametro di diametro di diametro di diametro di diametro di diametro di diametro

di di diametro di di diametro di di diametro di

di diametro di di diametro di di diametro di di diametro di di

di diametro di di di diametro di di di diametro

di di di diametro di di di diametro di di di diametro di

di di diametro di di di di diametro di

Helix128S-2

orne

rec

Le strutture più piccole raggiungono la terra con un laser.

Die

Protot

der

Univ

ersit at-GH-Siegen

esitzen

einen

Pitc

auf

der

MSGC-

und

auf

der

Helix-Seite. Ognuno di loro si trova ad affrontare una certa resistenza. L'opposizione al tersuc ten protot si era manifestata fino ad un onstan ten grado nel primo fino all'ultimo canale. Le linee di linea che egli considera idonee all'inclusione. Si trattava, da un lato, della caratteristica di aderenza dell'alloio silbico-palladio e, dall'altro, della strutturazione del laser e delle strisce della linea di conduzione che, infallibilmente, costituiscono la formazione del berretto laser.

Diese

Grate

hindern

das

La Commissione ritiene

che le misure adottate

in materia di

protezione dell'ambiente

possano essere

efficaci.

der

Leiterbahn. 128 x 1k 0 .. 3,5kV prototipo fanout Figura 14: resistenza al carico del film e resistenza al carico di un condensatore 3.2 Le strutture tersocche sono state mesurate prima dell'arrivo dell'arco e la tensione di un canale fino alla distruzione.

Die

Nac

barwiderst

ande

wurden

dab

nic

gleic

hzeitig

Il tenore di carico di un condensatore è stato testato (fig. 14) e l'adattatore di ceramica è stato testato (fig. 14) come tenore è stato terminato un tenore di tensione più instabile.

connessione con

un

cavo

tra

loro

aster

e

uing,

non

ten

con

hspann

generato impulsi

con

un

tempo di

crescita

La resistenza è più elevata che la resistenza all'ESC. La resistenza all'ESC è più elevata che la resistenza all'ESC. La resistenza all'ESC è più elevata che la resistenza all'ESC. La resistenza all'ESC è più elevata che la resistenza all'ESC. La resistenza all'ESC è più elevata che la resistenza all'ESC. La resistenza all'ESC è più elevata che la resistenza all'ESC. La resistenza all'ESC è più elevata che la resistenza all'ESC. La resistenza all'ESC è più elevata che la resistenza all'ESC. La resistenza all'ESC è più elevata che la resistenza all'ESC. La resistenza all'ESC è più elevata che la resistenza all'ESC.

0 ..

3.5kV Abbildung

15:

Die

utzwiderst

ande

des Keramik-Adapter

sollen

gerade

gro

In particolare, la Commissione ha

adottato una proposta

di direttiva che

prevede che le misure adottate in materia di

protezione dell'ambiente possano

essere adottate.

utzdio

il

sul

chip

una

ausreic

hand

utz

contro

hspann impulse

gew

ahrleisten. Al contrario, il rumore e i segnali non sono più accesi. diese Messungen wurden die estc hips Helix-ESD erw endet. Questo chip antico di caricamento è stato introdotto in un'arca con strutture idriche. Per la misurazione è stato caricato un condensatore e caricato l'adattatore di ceramica e l'utzdio di Helix-ESD (Fig.

L'adattatore di ceramica è stato sostituito dalla resistenza SMD, e le prove di resistenza sono state soddisfacenti.

Bei

kleineren

erten

È

stato

il

canale

di

gioventù

hlimmstenfalls

der

gesam

Chip

zerst

In base a queste misurazioni, sono state determinate le resistenze dei seguenti adattatori elettromagnetici: nel caso dei cannoni dell'ESD Helix, l'oglic ha ottenuto questa resistenza con un filo di legame.

Die

Protot

eines Keramik-Adapters unnlm

tec

Le tecnologie

sono

state

prodotte

da un'azienda

che

sic

auf

die

Pro

duktion Mikro-Sensoren

ezialisiert

Il substrato di ceramica Rubalite è il 96% di [End97]. Il più recente (uno per canale) di terra è prodotto da NiCr.

Ein

fotostrukturierbarer

otstopplac

LSF60

Serve

come anti-corrosione

und

mec

hanisc

Besc

I materiali di cui trattasi sono stati fabbricati con l'obiettivo di semplificare la tecnica e la compatibilità dei processi di lavorazione.

Ungew

Senza questo

processo,

non

sono

i

verdi

Abmessungen des

Adapters

(26

ein

Defekt

un

intero

componente gid

bar

mac

Ann Ann, ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann

ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann

ann an ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann

ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann

ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann

ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann ann

der

Gesam

eines

Bauteils

ab. Prima che si accorgessero e si accorgessero di loro, ogni bearbungssc venne trollato dal microscopo ottico. La prima volta che si è rilevato questo numero di campioni di adattatori di ceramica utilizzati per la ricerca (Fig. 16), si sono verificate le misure HL-Planar BH, Dortm e la resistenza di una filiera a materiale, a cross-sezione e all'altezza della filiera.

Der

Quersc

hnitt

è

il

prodotto

della

larghezza e dell'orgegeb

un

hic

tdic

Quindi

questo

è

E' vero,

perché

ha

resistito

a una

Quadratisc hes

in

fretta

una

pista nic

il può tenl a a a a a a a a a a a a a a a

a a a a a a a a a a a a a a a a a a

a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a

a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a

a a a a a a a a a a a a a a a a a a

a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a a

und

daher

angegeb

erden

I primi esemplari sono quelli dei quali i bondpad sono piccoli. Inoltre, un otstopplac non è un marchio per il controllo ottico della lingua austriaca del best kung, ma confine vicinamente agli ansc.

Dadurc

Il

legame

è

un'approfondimento,

der

Bondv

organg

ehindert

La misurazione della resistenza è stata effettuata nel 601 e la resistenza è stata emessa in bianco.

Bei

E'

il fuoco

della

resistenza.

Hlielic durc

Nel

caso

del

durc

hgef

orario

di

velocità di velocità

di

misurazione

della resistenza

das

Keramik-Substrat sehr gut

arme

die

Umgebung

abf

L'Einu non è chiaro se si tratti di un effetto a lungo termine del contrario, poiché le elevate tensioni elettriche riguardano la migrazione degli elettroni, il che significa che l'icone di conduzione viene portata a tutti gli atomi.

DIFFERENTIELLER

OMP

ARA

TOR

Animali

del comparatore Orv

I

segnali dell'MSGC

devono essere

segnalati

in

modo accurato.

per

generare un

segnale

rigger con

una

einstellbaren

Referenzspann

ung

erglic

hen

erden. Questo compito si basa sul quadro di questo comparatore, che termina con l'attuale versione di Helix128S-2. La integrazione dei comparatori dell'Elix128S-2 è esaminata in secondo capitolo. l'impiego di riggerpath 1.6 del chip Helix, i comparatori sono sottoposti ai seguenti requisiti:

14)

soll

mit

ausreic

hender

Ezienz

erk

ann

L'ossettività di questi comparatori deve essere inferiore a 10 mV. In particolare, la pulsazione dell'orv prima dell'ascesa del comparatore non è necessaria per ridurre l'ossettività dell'orv prima dell'ascesa del comparatore.

eitere

Randb

edingungen

sono

oglic

hst

minori hen

edarf

e l'evasione degli

ormoni,

Analogteil

des

Chips

dringen

onn

Le posizioni di un microfono sono costituite da altri, da condensatori e da tutti gli altri trasistor.

Con

la

tensione fiscale ung

at

sic

la

resistenza tra

il

drenaggio

(D)

und

Source

(S)

Il quarto elemento di un FET è il substrato (B, come nella maggior parte delle immagini il substrato di un ransistor non è ingegnere, i FET di n-canale con il negativo e i FET di p-canale con l'ossitivo tensione operativa non sono inferiori).

Diese

arian

il transistore di direzione è

autotrasportante,

che

C'è

un

flusso

tra

di

loro

Drain

und

La fonte di scarico di corrente è denominata in seguito In base alle proprietà dei transistor di conduzione e di altre fonti di base dell'elettronica è stato raccomandato il sistema di tenuta di semiconduzione (TS93).

Die

ersorgungsspann

ungen

sind

und

+2V

ransistor arb

eitet

als

Konstan

tstromquelle. Dadourc rimane la somma delle Strome Durc e onstan stato di riposo sono i giuramenti di tensione d'ingresso minuscolo e gleic gro. Poi si divide in simmetria al di sotto della costante tstroma tra le sue ed i suoi: 4.1 Dierenzv erst ark diagramma 17: struttura di un n-canale sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp sp

Ein

solc

her

Autonomo ransistor erh alt

sic

Bereic

l'atteggiamento

proprio e

come

un

ohmsc

her

resistenza: la tensione rimane continua finché l'elettricità di ciascuna delle acque rimane a sua volta, mentre la tensione d'ingresso di ciascuna delle acque rimane a sua volta, mentre la tensione di ingresso di ciascuna delle acque rimane a sua volta, mentre la tensione di ingresso di ciascuna delle acque rimane a sua volta, se per esempio la divisione di corrente di ciascuna delle acque rimane a sua volta.

nimm

und

nimm

ab,

die

Summe

nac

wie

In questo modo, il resistor si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce, si riduce.

4.1.2

haltungsen wurf

Nac

hdem

der

Il problema

principale è che

si

è

stabilito

un piano di stagione.

darin,

eine

gute

Dimensio- nierung

der

Bauteile

La progettazione di un ransistor CMOS-T ha un grado di preparazione (Fig. 17). 4.1 Dierenzv prima di fornire al ransistor le sue proprietà essenziali G86 e quindi i seguenti criteri sono la progettazione pertinente.

Die

dieren

tielle

Stufe

Ogglic

hst

deve

essere simmetrico,

quindi

e

Gleic

assumere

tutti

i redentori

provvedere

Daff

ur,

perché

gli anziani di

questo

paese

Di-

mension

die

Balance

nic

0.1 One sigma deviation (AMS) NMOS: W NMOS: L PMOS: L PMOS: L Figura 22: ancoramento del parametro di processo ter e [WM94 Le curve sono nac ten) l'eite di un p-MOS, l'eite di un n-MOS, l'eite di un n-MOS e l'eite di un p-MOS-T ransistor.

Tuttavia,

mac

hen cresce dimensioni

ransistor

langsamer,

In questo caso, il riscatto può essere utilizzato in modo che il riscatto di energia sia più elevato o che la sua capacità sia più elevata e che il riscatto di energia sia più elevato o che il riscatto di energia sia più elevato o che il riscatto di energia sia più elevato o che il riscatto di energia sia più elevato o che il riscatto di energia sia più elevato o che il riscatto di energia sia più elevato o che il riscatto di energia sia più elevato o più elevato o che il riscatto di energia sia più elevato o più elevato. L'elettricità della corrente deve essere pari alle condizioni previste, quindi, se la corrente è divisa tra le sue eide, è la capacità dei componenti dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità dell'elettricità di

Denkbare

Dimensionierungen

wurden

daher

durc

eine

hal-

tungssim ulation

Erpr

uft

e

durc

adattamento

iterativo

der

arameter

erb

In questo caso, si tratta di tre tipi di dimensioni: risistori con un'ampiezza minima e un'ampiezza minima, che forniscono un'ampiezza molto elevata e un'ampiezza minima.

ransistoren

mit

Altri

e

un

giuramento

del

Oordn ung

Qui

si

trova

con

Rucchi

e orantini

sic

heren

4.1.3 La maggior parte dei componenti dell'ABSC sono stati trattati in precedenza con le ullazioni. Ogni simulazione è basata su un'ullazione con la quale viene ottenuto l'assorbimento dei componenti dell'ABSC.

Mit

dem

Grosignalmo

La

loro

geometria è

determinata dal

fatto

che

e parametro

di

processo

Hanno

mangiato

prima

del

lancio.

un outs

erec

è

sulla

terra

e

In questo

caso, la

Commissione

ha

deciso di

abrogare l'accordo.

Per la conservazione è stato terminato il soft are ectreS. ectreS assomiglia all'unctionality dell'ann ten spice, il soft are cadence è il soft are cadence del laboratorio ASIC per il lancio, l'out e la simulazione di ASIC.

Die

Zahlen

den

ran-

sistoren

geb

eite

und

ange

an,

L'immagine mostra qualitativamente il campo di linea di partenza di un transistor elettrico.

mit

einem

estimm

ten

Eingangs- signal

sim

uliert

Un'altra caratteristica è che ogni ransistor utilizza i primi fattori d'arco, l'ormeggio e la tensione e la capacità tra loro, utilizzando il punto di partenza dell'arco.

elle

alt

die

diesen

erec

hneten

4.1.4 Il piccolo segnale dell'elettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroelettroele

Die

Stromquelle

il

centro

fornisce

un'elettricità

che

con

il

primo

fattore di arcamento della

tensione

di controllo

ung

abh

angt. L'ottica del substrato, così come la porta elettrica tra fonte e scarico, e quindi il canale di carico. Una fonte di corrente solare determina quindi la tensione tra la massa e la fonte. Inoltre, il canale del riscatto si oppone a una resistenza che è più difficile da affrontare con i conducenti.

hlielic

sind

die

Capacità di

ingerire

Gate,

source, drain

e

bulk

ksic

tigen. La prima volta che il piccolo segnale dell'animale viene ottenuto, ogni ransistor della posizione viene sostituito dal suo piccolo segnale dell'animale (Fig. 25). al centro si trovano le fonti di corrente, il cavo ahigk e Gatek apazit ate i transistori d'ingresso aiden e DIFFERENTIELLER OMP ARA TOR 76.8 0.253 19.4 16.2 75.0 0.164 18.9 15.3 32.0 0.519 5.95 -32.4 23.8 9.54 4.61 -30.6 24.0 92.7 6.82 63.0 22.1 0.114 5.06 -4.93 1.13 78.6 0.253 4.93 87.9 0.601 21.5 sat 0.998 0.325 1.43 1.00 3.0 0.17 0.22 0.60 2.25 0.315 1.417 1.00 3.0 0.14 0.22 0.60 -2.41 -1.402- 2.41 -0.728 1.1 0.25 0.48 0.62- 1.16 -1.4- 2.41 -0.729 0.32 0.48 0.62 0.583 1.298 2.74 0.833 0.60 -3.93 -0.362- 1.16 -0.712 1.1 0.21 0.49 0.32 0.062 1.115 2.74 0.827 2.1 2.1 0.30 2.74 1.301 2.74 0.830 0.99 6.9 0.60 Elle risultati del grosso segnale di urlazione Arb punto di partenza del dierenzv prima dell'arco con le dimensioni del riscatto e il Berec sono stati il primo arco fattore il conducente ahigk e l'anale diretto, il primo arco fattore della tensione bulk-source, il flusso di scarico la tensione e tra gate e source rispettivamente.

Drain,

die

Grenzspann

ung

den

l'atteggiamento di ereic

sat

l'afflizione

und

die

parasit

aren

Kapazit

4.1 Dierenzv prima dell'immagine 24: L'ultimo piccolo segnale dell'un altro transistor GD1 U - U () GD2 GD2 GS1 GS2 GD4 U - U () out Fig. 25: Il piccolo segnale dell'immagine di grado di apertura del gate è il segnale di ingresso.

La

resistenza di uscita

di

un'arca prima

di

L'aumento del

guido

eit

ksic

tigt. L'espansione di riferimento dipende da ref. Qui la resistenza di uscita è a terra. In questo caso, la capacità dei parassiti è complessiva: fuori sono i parassiti che conducono l'apicoltura della rete giudaica. Dopo la regola dei nodi Strome si può dedurre che il parassita non è in grado di controllare il suo funzionamento, ma che il parassita non è in grado di controllare il suo funzionamento.

DIFFERENTIELLER

OMP

ARA

TOR

fuori

fuori

fuori

fuori

fuori

Questo

gleic

unsystem ann

analytisc gel

ost

L'esame esatto è uguale a quello effettuato dall'utilizzo del grosso segnale e l'utilizzo di una serie di affermazioni è il primo a ricevere i segnali di ingresso a bassa frequenza, in modo da far cadere tutti i segnali che contengono la capacità del parassita.

out

4.2

C-Kopplung

Die

Ausg

ange

des

Helix-V orv

erst

Archive

con

un

oseto

ehaftet,

der

Kanal

Kanal

L'ariazione si basa sull'ordine del segnale utilizzato. La tensione di riferimento dei comparatori deve essere comune a tutti i tipi di apparecchiature che possono essere utilizzati sulla terra.

Mit

un

trattenitore

contro

la

massa

Arb punto di partenza

Seite

Se il segnale è rilasciato al momento in cui il segnale è rilasciato, la portata alta (MOSFET) del segnale è molto raramente avviata a terra, in cui il segnale contiene una glicemia.

Die

Zeitk

onstan

hinreic

hend

gro

sein

das

durc

hge-

hende

Signal

nic

eein

La realizzazione dei componenti ossicurati di un circuito di tenuta fissato è stata la seguente: 4.3 4fac H-Oder e D-Flip-Flop condensatori sono stati utilizzati per rilassare le posizioni inferiori a breve distanza.

erw

I processi

terminati offrono

posizioni in

questo

campo.

aus

oly-kristallinem

Silizum

La capacità di rallentamento di queste sedi è di consentire ai condensatori di costruire i loro ordini fino a terra.

Die

paarw

la

fine

di

una

und

n-Kanal-T

ransistors

soll die Ladungsinjektion

omp

en-

sieren. Una parte della posizione è costituita da una guida adattiva. Nel mantenimento di se stessi sono presenti alcune specie. Inoltre, i resistori risparmiati si ritrovano sempre all'altezza dell'altezza, dato che la posizione finale si avvicina alla base CR di cui all'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza dell'altezza.

Eine

der

eiden

Lagen

aus oly-kristallinem Silizium des

erw

en-

deten

Prozesses oly-2)

eist

mit

oly2

den

oten

hen

widerstand

La resistenza ossigenata si trova nell'ordine di una resistenza ole 2 e quindi di una resistenza ole 2 di larghezza minima.

die-

ser

Anordn ung

darf

man

ein

lineares

erhalten

erw

Se il tempo è molto più alto del tempo del segnale di utilizzo, questo ha un ruolo.

4.3

4fac

h-Oder

und

D-Flip-Flop Nac

hdem

Il

segnale di ingresso può

essere

usato

con il comparatore

la

tensione di riferimento

è

stata

ridotta,

un

segnale digitale

all'effetto

Questo segnale varia la sua velocità (fino ad una velocità sostitutiva) con la velocità della banda di riferimento. Il contenuto deve indicare soltanto che, al momento dell'aumento del flanco del comparatore (CompClk), la volta di ingresso è inferiore alla banda di riferimento.

Das

Aus-

gangssignal

soll

sic

una

volta ogni

ciclo

di attività

di

un denato

Zeitpunkt

andern

onnen. Questa estensione e detenzione di un segnale digitale è raggiungibile con l'impiego di un flop D-flip. sic an, daf die Standardzelle E08 AMS erw enden. Le cellule standard mi hanno condannato perché lei è esistente e testata. DIFFERENTIELLE OMP ARA TOR Il concetto del rigger First-Lev el-T si riferisce ai quattro strisce di un MSGC con sic stesso e ai quattro strisce di un MSGC di cui è sottoposto.

Die

Kan

ale

un

MSGC

terra

dab

gleic

su

dem

Helix-Chip der-v

erkn

upft,

Lei-

tungen

und

Bond-P

ads

In questo caso, se si tratta di una cellula standard di AMS (N04) o di una nic t odore, si tratta dell'elettronica successiva, poiché l'ero­grafia o il gruppo di quattro canoni) di MSGC che si trovano vicini si deve seguire l'ar­allelsc della riggerausg.

Dazu

La

terra

è ricca

di

rughe.

ertransistoren mit

oenem

Drain-Ansc

hlu

ausgef

In questo modo, si accende il fiocco e si accende il flip-flop, si risparmiano tre flip-flop.

negativ

Logik

(wie

der

MSGC

con Ano

da

selezionare

zum

L'obiettivo è un chip che può essere utilizzato in modo univoco e che può essere utilizzato in modo univoco. Un esempio semplice è un accesso all'odore esclusivo (E01). Il segnale di partenza viene chiamato esclusivamente ero con il comando.

Mit

anderen

orten:

Ist

wird

das

Signal

nic

Il risultato è quello di una posizione di un quarto gruppo di logica ossiva-attiva, in quanto una logica dell'attività ossiva (+2V tspric) e una logica della logica dell'attività negativa (+2V tspric) rispetta esattamente l'inverso.

alle

L'ano

seleziona

gli elettroni

terrestri

che

l'ano

un

passo,

prima arc

l'impulso

negativo

tensione

registriert

4.4

out

Komparatoren

(Fig. 26) Il segnale CompClk deve evitare che tutti i cloridori possano essere utilizzati in piattaforma platino-chip.Il non-compClk negato non finisce per essere utilizzato per il controllo, ma viene inserito in parallelo con il condotto CompClk.

Eine

iden

tisc

apazitiv

Belastung der

notComp-

Cclc,

tsprec

hend

del

gatek

apazit

I

compClk

sono stati

mangiati, ann

durc

tsprec

hende

Ersatzk

ondensatoren

erreic

In seguito è stato rilevato che la capacità dei conduttori stessi è inferiore a quella dei conduttori a carico dell'ingresso controllato.

Der Helix-Chip

wird

einem

-CMOS-Proze AMS

gefertigt

der

analoges

Design

geeignet

Il nome di questo processo deriva dal nome del processo della larghezza minima del strato oly-1, utilizzato come gate per i transistor diretti, che stabilisce la loro base minima.

Le

strutture minime

di altri

luoghi

sono:

La progettazione

è molto

più semplice

che la progettazione

e l'uso

della progettazione.

Rules

des

Prozesses

tnommen

L'organo più rigido è la larghezza di canale del chip Helix. Questa piazza si divide tra i comparatori con le strutture cerebrali Absc e i durc hgereic ten analogi orv fino a quando l'arco al pipeline. rimane una larghezza di canale indifferente.

Eine

simmetrico di

impostazione

dell'impulso

ensiert

aumlic

Gradien

ten den Prozeparame-

tern. L'accelerazione stessa riduce la statistica di tutti i transistor. L'unicità di dimensioni dell'orgasmo non può essere definita come un'orgasmo per molti uomini [AH87 è stato rilevato come una carenza di spazio (Fig. 27). In questo caso, se si tratta di un'operazione di cui si dispone un'ottica di utilizzo efficace, si può utilizzare quattro cannoni con coppia, grado di animalità, ore esclusive e ore comuni e D-flip-flop (Sc haltplan Fig.

26)

auc

out

einem

ompakten

Blo

zusammenzufassen

(Fig. 28): gli analoghi di congiunzione C e di livello di animalità sono separati da ciascun canale e inseriti in un anello che tacca il substrato con la tensione di funzionamento negativa.

Die

digitalen

Gatter

Ferro

angolo

di segnale

rigido

su

e causato

hen

damit

oten

tiell

orungen. L'obiettivo è quello di ripartire le prestazioni analoghe e digitali e di ripartire le prestazioni. In questo modo, i sistemi di comparatore (Span ungsv sorgente, CompClo Compbias e CompP ol) consentono di inserire i quattro cannoni di blo sul chip Helix in una serie di quattro cannoni di una colonna di comparatore con allineamento.

Austria

Microsistemi

internazionali

Questa larghezza

del

canale sarà

durc

den

Silizium-V ertex-Detektor

(SVD)

estimm

der

Max-Planc k-Institut

Kernph

ysik

Heidelb

erg

wic

elt

L'operazione SVD terrà i chip HELIX direttamente a carico del rilevatore di silicio, mantenendo la distanza del canale.