Procedimiento para la preparación de capas finas porosas de óxidos inorgánicos

19 OFICINA ESPAÑOLA DE PATENTES Y MARCAS ESPAÑA 11 Núme o de publicación: 2 186 530 21 Núme o de solici ud: 200100911 51 In . Cl.7:C23C 16/40 C23C 16/06 12 PATENTE DE INVENCIÓN B1 22 Fecha de p esen ación: 19.04.2001 43 Fecha de publicación de la solici ud: 01.05.2003 Fecha de la concesión: 24.02.2005 45 Fecha de anuncio de la concesión: 01.05.2005 45 Fecha de publicación del olle o de la pa en e: 01.05.2005 73 Ti ula /es: Consejo Supe io de In es igaciones Cien í icas Se ano, 117 28006 Mad id, ES Uni e sidad de Se illa 72 In en o /es: Ba anco Que o, Ángel; Yube o Valencia, F ancisco; Co ino Bau is a, José; Espinós Manzo o, Juan Ped o y Rod íguez González-Elipe, Agus ín 74 Agen e: No cons a 54 Tí ulo: P ocedimien o pa a la p epa ación de capas inas po osas de óxidos ino gánicos. 57 Resumen: P ocedimien o pa a la p epa ación de capas inas po o- sas de óxidos ino gánicos. El obje o de la p esen e in ención es un p ocedimien o pa a la p epa ación de capas inas de óxidos ino gánicos sob e subs a os median e la deposición desde ase a- po asis ida po plasma que se di e encia de los p ocedi- mien os habi uales po que se in e calan en e las sucesi- as e apas de deposición del óxido ino gánico e apas de deposición de capas o gánicas, de o ma que du an e la e apa de deposición de la capa ino gánica se p oduzca la eliminación po combus ión de la pa e o gánica p e- iamen e deposi ada. El p ocedimien o es de in e és en el desa ollo de memb anas selec i as pa a sepa ación y pu i icación de luidos así como pa a la ab icación y modi icación de senso es de gases y de humedad y de componen es elec ónicos. A iso: Se puede ealiza consul a p e is a po el a . 37.3.8 LP. ES 2 186 530 B1 Ven a de ascículos: O icina Española de Pa en es y Ma cas. C/Panamá, 1 – 28036 Mad id 1ES 2 186 530 A1 2 DESCRIPCION P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos. Sec o de la ´ecnica Un p ime sec o de aplicaci´on del p ocedi- mien o se enma ca, den o de las nue as ecno- log´ıas qu´ımicas, en el desa ollo de memb anas selec i as pa a sepa aci´on y pu i icaci´on de lui- dos. O os sec o es de in e ´es se elacionan con la ab icaci´on y modi icaci´on de senso es de gases y de humedad y ecnolog´ıas ´ısicas de modi icaci´on de p opiedades de ib as ´op icas y componen es elec ´onicos. Obje o de la in enci´on El obje o de la p esen e in enci´on es un p o- cedimien opa alap epa aci´on de capas inas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs a os median e la deposici´on desde ase apo asis ida po plasma que se di e encia de los p ocedimien os habi uales po que se in e calan en e las sucesi as e apas de deposici´on del ´oxido ino g´anico e apas de deposi- ci´on de capas o g´anicas, de o ma que du an e la e apa de deposici´on de la capa ino g´anica se p o- duzca la eliminaci´on po combus i´on de la pa e o g´anica p e iamen e deposi ada. Es ado de la ´ecnica Los m´e odos de deposici´on de l´aminas del- gadas ipo sol/gel, u ilizaci´on de ma e iales en o ma de pol o y simila es basados en m´e odos qu´ımicos se han usado p e iamen e pa a la s´ın- esis de capas po osas de in e ´es como memb a- nas, senso es, sopo e de ca alizado es, e c. (C. G. G¨olne , M. An onie i, A d. Ma e . 9 (1997) 432, S. Singh, D. Y. Sasaki, J. Cesa ano III, A. J. Hu d, Thin Solids Films, 339 (1999) 209, A. Julbe, C. Guiza d, A. La bo , L. Co , A. Gi oi - Fendle , J. Memb ane Sci. 77 (1993) 137, P. Pia- gio, A. Bo ino, G. Capanneli, E. Ca osini, A. Julbe, Langmui 11 (1995) 3970, H. Lao, C. De e- llie , T. Ma suu a, A.Y. T emblay, J. Ma e . Sci. Le 13 (1994) 895. A. Saya i, Chem. Ma e . 8 (1996) 1840, M.S. Du ai e, R. Lalauze, C. Pijo- la , Senso s and Ac ua o s B 26/27 (1995) 38; G. Beh , W. Fliegel, Senso s and Ac ua o s B 26/27 (1995) 33; W, F. Maie , I-C. Tilgne , M. Wiedom, H-Ch. Ko, Ad anced ma e ials 5 (1993) 726). En odos es os p ocesos es necesa io p ocede , en al- guna e apa de la p epa aci´on, a calen a el ma e- ial pa a bien ac i a eacciones qu´ımicas (com- bus i´on) y/o pa a acele a la ees uc u aci´on y sin e izaci´on de la capa. Un m´e odo al e na i o que pe mi e abaja o bien a empe a u a am- bien e o bajo calen amien o del subs a o con- sis e en la u ilizaci´on de plasmas ´ıos que, me- dian e la descomposici´on de p ecu so es me ´alicos ol´a iles, posibili an la deposici´on de capas inas de ´oxidos o ni u os me ´alicos o sis emas simi- la es (E.C. T acy, J.A. Tu ne , D.K. Benson, P. Liu, J-G. Zhang, W09919534, 1999; A. Koganei, Z. Mo omiya, JP9272978, 1997; M.S. Ameen, J. Hillman, US5989652, 1999; R. A ni, D. Mo an, J. Amou oux, S. Mi alai, FR2729400, 1996; J.C. Alonso,S.J.Ram´ı ez, M. Ga c´ıa, A. O iz, J. Vac. Sci. Technol. A 13 (1995) 2924; M. Ma suo- ka, S-I. Tohno, J. Vac. Sci. Technol. A 13 (1995) 2427; U. Beck, D.T. Smi h, G. Reine s, S.J. Dap- kunas, Thin Sol. Films 332 (1998) 164). Es os 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 m´e odos suelen econoce se bajo el nomb e gen´e- ico ingl´es de “plasma enhanced Chemical Vapou Deposi ion” (PECVD). Adem´as de pa a la p e- pa aci´on de capas de compues os me ´alicos, es os p ocedimien os pueden ambi´en u iliza se pa a la p epa aci´on de capas de pol´ıme os o g´anicos (P. Gio dano, R.C. Smie ciak, US4784769, 1988; Y. Hayashi, US4347139, 1982; C.G. Guiza d, E.H.J. Du and, I.H.Lecacheux, J.D. Ma in, EP1013335, 2000; H. Nomu a, US5439736, 1995; R. Nakase, EP1035569, 2000; F.U.Z. Chowdhu y, A.H. Bhui- yan, Thin Sol. Films, 360 (2000) 69; T. Schwa z- Selinge , A. Von Keudell, W. Jacob, J. Appl. Physics 86 (1999) 3988; N. Tanigaki, H. Kyo ani, M. Wada, A. Kai o, Y. Yoshida, E-M. Han, K. Abe, K. Yase, Thin Sol. Films 331 (1998) 229). El ipo de p ecu so ol´a il, el de gas del plasma y las condiciones de abajo y el ipo de la uen e de plasma son las a iables que pe mi en p oce- de a un ipo u o o de p epa aci´on. Los m´e odos de PECVD se han u ilizado p e iamen e pa a la ob enci´on de capas po osas de ´oxidos ino g´anicos y de ma e iales compues os ipo siloxano, de in- e ´es como memb anas sepa ado as de gases (Ch. Nelson, R. Domanik, US5002652, 1991; R. Vos, DE19603829, 1997; S. Ma suo, M. Kiuchi, M. Se- kimo o, US4543266, 1985; Z. Chu, P. Gao, R. Ye, CN1185041, 1998; S. Roualdes, A. Van de Lee, R. Be joan, j. S´anchez, J. Du and, AIChE Jou nal 45 (1999) 1566, O. G¨o big, S. Nehlsen, J. M¨ulle , J. Memb. Sci. 138 (1998) 115, A.S. da Sil a Sob ino, G. Cz emuszkin, M. La eche, M.R. We heime , J. Vac. Sci. Technol. A 18 (2000) 149), habi´endose conseguido en es e caso un cie o con ol sob e la es uc u a po osa de la capa deposi ada median e el manejo de condi- ciones adecuadas del plasma (p esi´on de abajo, gas de plasma, e c.) du an e el p oceso de des- composici´on del p ecu so ino g´anico. El m´e odo que aqu´ı se ei indica plan ea la ealizaci´on de ci- clos de deposici´on sucesi os de pa es o g´anicas e ino g´anicas, consigui´endose el con ol de la ex- u a de la capa deposi ada median e una secuen- ciaci´on adecuada de es os ciclos. Explicaci´on de la in enci´on Cons i uye un obje o de la p esen e in enci´on un p ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs- a os median e la deposici´on desde ase apo asis ida po plasma que cons a de las siguien es e apas: a) colocaci´on del subs a o en la c´ama a de eacci´on del plasma b) in oducci´on de un p ecu so ol´a il que con iene el elemen o ino g´anico cuyo ´oxido se quie e deposi a c) alimen aci´on con ox´ıgeno o mezclas O2/gas ine e de la uen e de plasma en la c´ama a de eacci´on del plasma d) ac i aci´on de la uen e de plasma en dicha c´ama a pa a hace eacciona el gas p ecu - so con el plasma de ox´ıgeno p o ocando la deposici´on de la capa de ´oxido ino g´anico sob e el sus a o. 2 B1 3ES 2 186 530 A1 4 En e las sucesi as e apas de deposici´on del ´oxido ino g´anico se in e calan e apas de deposi- ci´on de capas o g´anicas, de o ma que du an e la e apa de deposici´on de la capa ino g´anica se p o- duzca la eliminaci´on po combus i´on de la pa e o g´anica p e iamen e deposi ada. La deposici´on de la capa o g´anica cons a de las siguien es e a- pas: a) in oducci´on de un p ecu so ol´a il que con iene el compues o o g´anico que se quie- e deposi a b) alimen aci´on con ox´ıgeno o mezclas O2/gas ine e de la uen e de plasma en la c´ama a de eacci´on del plasma c) ac i aci´on de la uen e de plasma en dicha c´ama a pa a hace eacciona el gas p e- cu so con el plasma de ox´ıgeno p o ocan- do la deposici´on de la capa del compues o o g´anico sob e el subs a o. El subs a o puede se cualquie ma e ial me- ´alico, ce ´amico, id io o ib a ´op ica cuya o ma puede se plana, en o ma de ubo o con o as geome ´ıa. El p ecu so ol´a il puede se cualquie com- pues o de elemen os me ´alicos de la abla pe i´o- dica que descompues o po un plasma oxidan e o igine un ´oxido. La uen e de plasma es un gene ado de mi- c oondas, un gene ado de adio ecuencias o una uen e de co ien e con inua que se apoya me- dian e un campo magn´e ico o una uen e de elec- ones y que puede abaja en ´egimen de e- sonancia elec ´onica ciclo ´onica (“elec on ciclo- on esonance”, ECR) a una p esi´on comp en- dida en e 10−2y10 −4To y a una empe a u a comp endida en e la empe a u a ambien e y la empe a u a de descomposici´on o g a i izaci´on del compues o o g´anico o bien en ´egimen con encio- nal a una p esi´on comp endida en e 100 y 10−2 To y a una empe a u a comp endida igual- men e en e la empe a u a ambien e y la empe- a u a de descomposici´on o g a i izaci´on del com- pues o o g´anico. El ox´ıgeno se alimen a en una elaci´on de al menos 4:1 con espec o al p ecu so ol´a il y de al menos 10: 1 con espec o al compues o o g´anico. El compues o o g´anico puede se cualquie compues o o g´anico ol´a il o mado po ca bono, hid ´ogeno y/o ox´ıgeno, en pa icula hid oca bu- os ali ´a icos, alic´ıclicos o a om´a icos y en pa i- cula olueno. El p ocedimien o puede aplica se a un p ecu - so ol´a il de un solo me al o a p ecu so es me ´a- licos de dos o m´as me ales. Cons i uye o o obje o de la p esen e in en- ci´on las capas inas po osas p epa adas median e el p ocedimien o desc i o, as´ı como la u ilizaci´on de dichas capas inas po osas como senso es de ga- ses (en pa icula deposi adas sob e un subs a o de ib a ´op ica), como memb anas sepa ado as de gases o como ma e iales de uso mic oelec ´onico. B e e desc ipci´on de la igu a Figu a 1: Esquema del sis ema expe imen al, en el cual: 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 1. Fuen e de plasma 2. C´ama a de eacci´on en ace o inoxida- ble 3. Sis ema de dosi icaci´on de los p ecu - so es 4. Sis ema de bombeo a base de bombas u bomolecula y o a o ia 5. Alimen aci´on de gases pa a la uen e de plasma 6. Po amues as pa a la colocaci´on del subs a o Figu a 2: Im´agenes de mic oscop´ıa elec ´onica de ba ido (SEM) de las capas ob enidas en el ejemplo de ealizaci´on de la in enci´on. Figu a 3: Resul ados expe imen ales del an´alisis po medio de elipsome ´ıa espec osc´opica de una capa de SiO2po osa expues a en condiciones con oladas a a m´os e as con dis in os g ados de humedad ela i a desde 5a76%. Desc ipci´on de allada de la in enci´on El con ol p eciso de la po osidad en l´aminas delgadas de ´oxidos de me ales y o os ma e ia- les ino g´anicos es muy impo an e pa a muchas aplicaciones de ales sis emas. Po ejemplo, el a- ma˜no y o ma de los po os es un pa ´ame o c ´ı ico a la ho a de de ini la capacidad de sepa aci´on de memb anas ino g´anicas. La p opia es uc u a po- osa, jun o con el espeso de la capa, de e mina la sensibilidad y capacidad de espues a de los senso es en el caso de u iliza se la ecnolog´ıa de l´aminas delgadas pa a su p epa aci´on o pa a mo- di ica su espues a. Po o o lado, el hecho que el m´e odo p opues o implique p ocedimien os de s´ın esis a empe a u a ambien e ep esen a una en aja indudable en e a los m´e odos qu´ımicos de s´ın esis en condiciones ag esi as u o os que in oluc en calen a las piezas a ele adas empe- a u as. En e ec o, po las ca ac e ´ıs icas de su u ilizaci´on, las capas inas po osas han de p epa- a se sob e subs a os, ac uando es os como ele- men os ac i os, como en el caso de los senso es, o me amen e pasi os como po ado es de las ca- pas. En el p ime caso es e iden e la necesidad de no p o oca cambios en la uncionalidad, compo- sici´on y o as ca ac e ´ıs icas de los senso es. En el segundo caso, es impo an e man ene empe- a u as de p epa aci´on bajas, cuando los subs a- os no pueden se al e ados po eacci´on qu´ımica. Es e es el caso po ejemplo en la u ilizaci´on de aglome ados de ib as me ´alicas como subs a o pa a memb anas il an es o ambi´en el caso de subs a os mic o-po osos ce ´amicos cuando deba e i a se cualquie eacci´on que al e e su compo- sici´on. Las ca ac e ´ıs icas del m´e odo lo hacen ap o pa a p epa a capas de composici´on qu´ımica a- iable en p o undidad. Es a posibilidad puede se de g an in e ´es pa a hace compa ible qu´ımi- camen e una capa po osa y un subs a o de e - minado, e i ´andose p oblemas de delaminaci´on. Asimismo, es a posibilidad pe mi e palia p oble- mas de ensi´on mec´anica en e ma e iales de dis- in os coe icien es de dila aci´on cuando el sis ema 3 B1 5ES 2 186 530 A1 6 capa/subs a o enga que u iliza se a empe a u- as ele adas. Dado que se a a de un p ocedimien o se- cuencial es posible asimismo p epa a capas con po osidad con olada y a iable en espeso desde el in e io al ex e io de la misma. Es a posibili- dad puede ene g an in e ´es pa a limi a p oce- sos de colma aci´on con cenizas o pol os o, simple- men e, pa a mejo a la esis encia a la ab asi´on de la capa po osa. El m´e odo de p epa aci´on desa ollado con- sis e en la deposici´on desde ase apo inducida po un plasma de ox´ıgeno. Es e m´e odo se basa en la descomposici´on de p ecu so es ol´a iles do- si icados de mane a con olada sob e el subs a o a cub i po la capa po osa. Un esquema del sis- ema expe imen al se p esen a en la Figu a 1. Se u iliza una uen e de plasma ex e no (1) de 16 cm de di´ame o exci ada po mic oondas, que puede unciona en el ´egimen ECR a bajas p esiones del o den de 10−3To s y en el modo con encional a p esiones de algunos To s. Los ciclos de deposici´on del ma e ial o g´anico se ealizan en las condiciones de al a p esi´on, u ili- zando olueno como p ecu so o g´anico y ox´ıgeno como gas que alimen a la uen e de plasma. Es e p oceso cons i uye uno de los pun os no edosos del p ocedimien o ya que gene almen e no se con- sigue la o maci´on de capas polim´e icas o g´anicas u ilizando plasmas de ox´ıgeno; en esas condicio- nes se suele p oduci la eliminaci´on de la capa o g´anica o mada. La po encia de mic oondas u ilizada es del o den de 700 w, es ando los lu- jos de ox´ıgeno en la uen e y de olueno sob e el subs a o en una elaci´on de al menos diez a uno. Valo es ´ıpicos de lujos de ox´ıgeno u iliza- dos es ´an en el o den de 50 sccm. Pa a alcan- za las p esiones de abajo necesa ias puede se necesa io disminui la capacidad de bombeo del sis ema po es angulamien o del mismo. Cambiando el modo de abajo del sis ema, la capa o g´anica se quema a empe a u a ambien e po mediaci´on del plasma de ox´ıgeno mien as que se deposi a simul ´aneamen e el ´oxido ino g´anico dequese a e. Enesemomen osesus i uye el olueno po un p ecu so ol´a il del me al a deposi a y el modo de abajo del plasma se es ablece den o de las condiciones ECR a baja p esi´on. Las p esiones de abajo en es e caso son del o den de 1∗10−2To , siendo la elaci´on de lujos en e el ox´ıgeno que alimen a la uen e y el p ecu so me ´alico ol´a il de al menos 4. El p oceso de gene aci´on de po os es el esul ado de la e oluci´on de los p oduc os de combus i´on de la pa e o g´anica p e iamen e deposi ada (CO2y H2O) y de la deposici´on simul ´anea del compo- nen e ino g´anico. Se log a con ola la es uc u a po osa de la capa egulando el n´ume o de ciclos y el iempo de deposici´on de las capas o g´anica e ino g´anica den o de cada ciclo. Un olumen de po o mayo se consigue aumen ando el espeso ela i o de la capa o g´anica y disminuyendo el iempo de depo- sici´on de la capa de ´oxido en cada ciclo. Va iando con enien emen e el iempo de los ciclos de deposici´on de las capas o g´anica e ino g´anica se pod ´ıan p epa a median e la me- odolog´ıa p opues a capas de po osidad a iable 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 en p o undidad. Asimismo, combinando p ecu - so es ino g´anicos de dis in os elemen os qu´ımicos es posible con ola la composici´on qu´ımica de la capa en p o undidad y/o p epa a capas de ´oxi- dos mix os. En es e ´ul imo caso se dosi ica ´ıan en la c´ama a de plasma simul ´aneamen e dos o m´as p ecu so es ino g´anicos. Ejemplo de ealizaci´on de la in enci´on Un ejemplo de aplicaci´on del p ocedimien o lo cons i uye la p epa aci´on de capas po osas de SiO2. Como p ecu so ol´a il de Si se ha u ilizado Si(CH3)3Cl, siendo el lujo de es e compues o de 5 cen ´ıme os c´ubicos en condiciones s anda d po minu o (sccm) cuando se p ocede a la deposici´on de la pa e ino g´anica. Las condiciones de a- bajo ECR se consiguie on con una po encia de mic oondas de 400 w, y un lujo de ox´ıgeno de ali- men aci´on de la uen e de 20 sccm. Con las condi- ciones de bombeo u ilizadas, es os alo es de lujo daban como esul ado una p esi´on en la c´ama a de plasma de 1∗10−2To . Pa a la ob enci´on del dep´osi o o g´anico se u iliz´o un lujo de olueno de 5 sccm y uno de ox´ıgeno de 50 sccm. T as es angula el sis ema de bombeo se ob u o una p esi´on de abajo den o de la c´ama a de plasma de 1.5 To s. Un ejemplo de ciclos u ilizados pa a con ola la po osidad de la capa consis i´oenlos siguien es p o ocolos: P o ocolo a) 1.- SiO275 nm 2.- Pol´ıme o 10 nm 3.- SiO2150 nm 4.- Pol´ıme o 10 nm 5.- SiO2 375 nm P o ocolo b) 1.- SiO275 nm 2.- Pol´ıme o 20 nm 3.- SiO2150 nm 4.- Pol´ıme o 20 nm 5.- SiO2 375 nm P o ocolo c) 1.- SiO275 nm 2.- Pol´ıme o 200 nm 3.- SiO2150 nm 4.- Pol´ıme o 200 nm 5.- SiO2375 nm. En la Figu a 2 se mues an una se ie de im´agenes de mic oscop´ıa SEM de las capas ob e- nidas seg´un los es p o ocolos an e io es. Puede obse a se cla amen e que la po osidad aumen a del p o ocolo a) al c), en el sen ido en que au- men a el iempo de deposici´on de la capa o capas o g´anicas. La ca ac e izaci´on de es as capas po m´e odos de adso ci´on (m´e odo BET) mues a que ienen supe icies espec´ı icas mayo es de 30 m2 g−1y una es uc u a de po os bien de inida. Ejemplo de u ilizaci´on como senso es ´op icos G acias a la mic oes uc u a po osa las capas de SiO2pueden u iliza se como senso es ´op icos de gases. Una aplicaci´on ´ıpica es la de su uso co- mo senso de humedad. En la Figu a 3 se mues- an los esul ados expe imen ales del an´alisis po medio de elipsome ´ıa espec osc´opica de una capa de SiO2po osa expues a en condiciones con- oladas a a m´os e as con dis in os g ados de hu- medad ela i a desde 5 a 76%. Los pa ´ame os ´op icos an Ψ y cos ∆ a ´ıan signi ica i amen e y de o ma e e sible con el g ado de humedad, pudi´endose es ablece una co elaci´on di ec a en- e las ca ac e ´ıs icas ´op icas de la capa y el g ado de humedad ambien e. La e oluci´on obse ada ienesuo igenenlaadso ci´on e e sible de a- po de agua en la es uc u a po osa de la capa. 4 B1 7ES 2 186 530 A1 8 En el caso conc e o de la Figu a 3 las condiciones de p epa aci´on de la capa cuyo compo amien o se e leja son: - capa polim´e ica: espeso 5 nm 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 -capaSiO 2: espeso 150 nm - capa polim´e ica: espeso 5 nm -capaSiO 2: espeso 300 nm 5 B1 9ES 2 186 530 A1 10 REIVINDICACIONES 1. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs a- os median e la deposici´on desde ase apo asis- ida po plasma que cons a de las siguien es e a- pas: a) colocaci´on del subs a o en la c´ama a de eacci´on del plasma b) in oducci´on de un p ecu so ol´a il que con iene el elemen o ino g´anico cuyo ´oxido se quie e deposi a c) alimen aci´on con ox´ıgeno o mezclas O2/gas ine e de la uen e de plasma en la c´ama a de eacci´on del plasma e) ac i aci´on de la uen e de plasma en dicha c´ama a pa a hace eacciona el gas p ecu - so con el plasma de ox´ıgeno p o ocando la deposici´on de la capa de ´oxido ino g´anico sob e el subs a o yca ac e izado po que se in e calan en e las sucesi as e apas de deposici´on del ´oxido ino g´a- nico e apas de deposici´on de capas o g´anicas, de o ma que du an e la e apa de deposici´on de la capa ino g´anica se p oduzca la eliminaci´on po combus i´on de la pa e o g´anica p e iamen e de- posi ada. 2. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs- a os median e la deposici´on desde ase apo asis ida po plasma seg´un la ei indicaci´on 1, ca ac e izado po que la deposici´on de la capa o g´anica cons a de las siguien es e apas: a) in oducci´on de un p ecu so ol´a il que con iene el compues o o g´anico que se quie- e deposi a b) alimen aci´on con ox´ıgeno o mezclas O2/gas ine e de la uen e de plasma en la c´ama a de eacci´on del plasma c) ac i aci´on de la uen e de plasma en dicha c´ama a pa a hace eacciona el gas p e- cu so con el plasma de ox´ıgeno p o ocan- do la deposici´on de la capa del compues o o g´anico sob e el subs a o. 3. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs- a os median e la deposici´on desde ase apo asis ida po plasma seg´un las ei indicaciones 1 y 2, ca ac e izado po que el subs a o puede se cualquie ma e ial me ´alico, ce ´amico, id io o i- b a ´op ica cuya o ma puede se plana, en o ma de ubo o con o as geome ´ıas. 4. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs- a os median e la deposici´on desde ase apo asis ida po plasma seg´un las ei indicaciones 1- 3, ca ac e izado po que el p ecu so ol´a il es cualquie compues o de elemen os me ´alicos de la abla pe i´odica que descompues o po un plasma oxidan e o igine un ´oxido. 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 5. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs a- os median e la deposici´on desde ase apo asis- ida po plasma seg´un las ei indicaciones 1-4, ca ac e izado po que la uen e de plasma es un gene ado de mic oondas, un gene ado de adio- ecuencias o una uen e de co ien e con inua. 6. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs a- os median e la deposici´on desde ase apo asis- ida po plasma seg´un la ei indicaci´on 5, ca ac- e izado po que la uen e de plasma se apoya median e un campo magn´e ico o una uen e de elec ones. 7. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de ca- pas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs a os median e la deposici´on desde ase a- po asis ida po plasma seg´un las ei indicacio- nes 5 y 6, ca ac e izado po que la uen e de plasma abaja en ´egimen de esonancia elec ´o- nica ciclo ´onica (“elec on ciclo on esonance”, ECR) a una p esi´on comp endida en e 10−2y 10−4To y a una empe a u a comp endida en- e la empe a u a ambien e y la empe a u a de descomposici´on o g a i izaci´on del compues o o g´anico. 8. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs- a os median e la deposici´on desde ase apo asis ida po plasma seg´un las ei indicaciones 5 y6,ca ac e izado po que la uen e de plasma abaja en ´egimen con encional a una p esi´on comp endida en e 100 y 10−2To y a una em- pe a u a comp endida en e la empe a u a am- bien e y la empe a u a de descomposici´on o g a- i izaci´on del compues o o g´anico. 9. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs a- os median e la deposici´on desde ase apo asis- ida po plasma seg´un las ei indicaciones 1-8, ca ac e izado po que el ox´ıgeno se alimen a en una elaci´on de al menos 4: 1 con espec o al p e- cu so ol´a il. 10. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs a os median e la deposici´on desde ase a- po asis ida po plasma seg´un las ei indicaciones 1-9, ca ac e izado po que el ox´ıgeno se alimen a en una elaci´on de al menos 10: 1 con espec o al compues o o g´anico. 11. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs a os median e la deposici´on desde ase a- po asis ida po plasma seg´un las ei indicacio- nes 1-10, ca ac e izado po que el compues o o g´anico es cualquie compues o o g´anico ol´a il o mado po ca bono, hid ´ogeno y/o ox´ıgeno, en pa icula hid oca bu os ali ´a icos, alic´ıclicos o a om´a icos. 12. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs a os median e la deposici´on desde ase a- po asis ida po plasma seg´un las ei indicaci´on 11, ca ac e izado po que el compues o o g´anico es olueno. 13. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e 6 B1 11 ES 2 186 530 A1 12 subs a os median e la deposici´on desde ase a- po asis ida po plasma seg´un las ei indicaciones 1-12, ca ac e izado po que el p ocedimien o se aplica a un p ecu so ol´a il de un solo me al. 14. P ocedimien o pa a la p epa aci´on de capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos sob e subs a os median e la deposici´on desde ase a- po asis ida po plasma seg´un las ei indicaciones 1-12, ca ac e izado po que se el p ocedimien o se aplica a p ecu so es me ´alicos de dos o m´as me ales. 15. Capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos 5 10 15 20 25 30 35 40 45 50 55 60 65 p epa adas median e un p ocedimien o seg´un las ei indicaciones 1-14. 16. U ilizaci´on de las capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos seg´un la ei indicaci´on 15 co- mo senso es de gases, en pa icula deposi adas sob e un subs a o de ib a ´op ica. 17. U ilizaci´on de las capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos seg´un la ei indicaci´on 15 co- mo memb anas sepa ado as de gases. 18. U ilizaci´on de las capas inas po osas de ´oxidos ino g´anicos seg´un la ei indicaci´on 15 co- mo ma e iales de uso mic oelec ´onico. 7 B1 ES 2 186 530 A1 8 B1 ES 2 186 530 A1 9 B1